+7 (495) 720-06-54
Пн-пт: с 9:00 до 21:00, сб-вс: 10:00-18:00
Мы принимаем он-лайн заказы 24 часа*
 

Терминал d схема: Международный аэропорт Шереметьево

0

Аэропорт Борисполь Схема Проезда к Терминалу D

Аэропорт Борисполь: Проезд

  • Терминал B обслуживает рейсы внутри Украины и часть международных.
  • Терминал F обслуживает международные чартерные рейсы.
  • Терминал D обслуживает внутренние и международные рейсы, имеет ВИП-зал

Если рейс отменили более чем за 24 часа до вылета, то пассажиров пересаживают на аналогичные рейсы авиакомпании. Расходы несет перевозчик, для пассажира услуга бесплатная. Если ни один из вариантов, предложенных авиакомпанией, вас не устраивает, у большинства авиакомпаний может быть оформлен «вынужденный возврат». После подтверждения авиакомпании деньги вернутся на ваш счет.

Иногда это может занять несколько недель.

Онлайн-регистрация доступна на сайтах большинства авиакомпаний. Чаще всего она открывается за 23 часа до начала рейса. Пройти ее можно не позднее, чем за 1 час до вылета самолета.

  • удостоверение личности, указанное в заказе,
  • свидетельство о рождении при перелете с детьми,
  • распечатанная маршрутная квитанция (по желанию).

Ручная кладь — это вещи, которые вы возьмете с собой в салон самолета. Норма веса ручной клади может варьироваться от 5 до 10 кг, а ее размер чаще всего не должен превышать по сумме трех измерений (длины, ширины и высоты) от 115 до 203 см (в зависимости от авиакомпании). Дамская сумка не относится к ручной клади и провозится свободно.

В сумке, которую вы берете с собой в самолет, не должно быть ножей, ножниц, лекарств, аэрозолей, косметических средств. Алкоголь из магазинов duty free можно провозить только в запечатанных пакетах.

Если вес багажа превышает нормы, установленные авиакомпанией (чаще всего — 20-23 кг), нужно заплатить за каждый килограмм перевеса. Кроме того, у многих российских и зарубежных авиакомпаний, а также лоукостеров есть тарифы, которые не включают бесплатный провоз багажа и его необходимо оплачивать отдельно как дополнительную услугу.

Багаж при этом нужно регистрировать в аэропорту на отдельной стойке регистрации Drop-off. Если у вас нет возможности посадочный талон, вы можете получить его на обычной стойке регистрации авиакомпании, и там же зарегистрировать и сдать багаж.

Узнать время прилета самолета можно на онлайн-табло аэропорта. На сайте Aviasales.ru есть онлайн-табло основных российских и зарубежных аэропортов.

Узнать номер выхода (гейта) можно на табло прилета в аэропорту. Этот номер располагается рядом с информацией о прибывающем рейсе.

Аэропорт борисполь схема проезда к терминалу d

Терминал D

Аэропорт Борисполь

Воспользуйтесь поисковой формой Bravoavia, чтобы найти лучшие рейсы из аэропорта Борисполь и забронировать билеты по наиболее выгодным ценам! Вы также найдете расписание самолетов, правила авиакомпаний и многое другое, что сделает ваше путешествие максимально комфортным.

Старейший терминал аэропорта Борисполь. На его территории располагаются зал ожидания, туалет (на цокольном этаже), справочная служба и пункт обмена валюты. Также здесь можно найти офисы авиакомпаний, осуществляющих внутренние перелеты, кафе и охраняемую парковку.

На территории терминала расположено множество магазинов, пунктов питания, а также офисов туристических компаний и авиакомпаний. Кроме того, здесь можно найти бизнес-центр и камеры хранения багажа. Также, пройдя контроль на авиационную безопасность, пассажиры могут воспользоваться залами ожидания или посетить магазины беспошлинной торговли.

Данный терминал обслуживает международные рейсы, по большей части — чартерные и рейсы бюджетных перевозчиков. Он был открыт в сентябре 2010 года. Пропускная способность терминала, благодаря использованию современных технологий и улучшенному обслуживанию, достигает 900 человек в час.

Тем, кто интересуется, как доехать до аэропорта личным автомобилем, необходимо двигаться по трассе М03 Е40. На территории аэропорта Борисполь специально оборудована охраняемая парковка.

Автобус №322:
Время на дорогу: около часа,
Интервал движения: 15-30 минут.
Расписание движения: круглосуточно.
Маршрут: железнодорожный вокзал «Южный» – ст. м. Харковская – аэропорт «Борисполь».

НомерМаршрут
№2По центральной дороге «Киевский путь»
№3аБориспольский ж/д вокзал — Аэропорт
№11
г. Борисполь — Аэропорт — с. Процев
№16Бориспольский ж/д вокзал — Центр — Аэропорт
№17ст. Атасс-Борисполь — Военгородок — Аэропорт

В аэропорту работают 30 стоек регистрации и киоски для самостоятельной регистрации. Регистрация на рейсы открывается за 4-5 часов, конкретное время стоит уточнить в зависимости от вашего рейса. Также действуют 2 стойки таможенного оформления и 1 стойка для негабаритного багажа.

Терминал D Аэропорта Борисполь (Украина, Киев)

Где находится аэропорт Борисполь? Координаты, карта и фото

Аэропорт расположен на левом берегу Днепра, рядом с городом Борисполь Киевской области. Аэропорт Борисполь Схема Проезда к Терминалуȍ, перевозить? Проехать в аэропорт «Борисполь» можно от вокзала или станции метро «Харьковская» на автобусах Sky Bus за 50 грн.

Международный аэропорт Борисполь

Адрес: Киевская область, Борисполь-7
Телефон: +380 (44) 364-45-05, +380 (44) 585-74-11, +380 (44) 281-78-78
Факс: +380 (44) 281-71-22
Режим работы:
Все дни 00:00 до 24:00
Сайт: kbp.aero
Имэйл: [email protected]

общественным транспортом:
электричкой до остановки «Борисполь-аэропорт»
остановка «Терминал D»
автобус № 322.

Международный аэропорт Борисполь, терминал D

Международный аэропорт Борисполь, терминал D работает на территории Украины в г. Борисполь на. У организации имеется сайт – http://kbp.aero.

Виртуальная прогулка по улице поможет Вам быстрее сориентироваться в поисках организации Международный аэропорт Борисполь, терминал D

Пожалуйста, напишите отзыв о предприятии Международный аэропорт Борисполь, терминал D, если вы когда-либо имели дело с организацией, представителями или руководством. Время, номера договоров, фотографии, имена и фамилии приветствуются. Ваше мнение поможет другим людям сделать правильный выбор.

Все о международном аэропорте города Борисполя

В настоящее время между Москвой и Киевом нет прямых рейсов. Желающим совершить это путешествие придется лететь с пересадкой через один из европейских городов.

Борисполь – это не только аэропорт, но и старинный город, известный еще в XI веке под названием Льто или Летч. Несколько раз он был полностью разрушен: монголо-татарами, поляками, немцами.

В июне 1959 года было решено переоборудовать существовавший неподалеку от Борисполя военный аэродром в гражданский аэропорт, который принял первый пассажиров уже в начале июля того же года. Это был регулярный рейс, соединивший Киев и Москву. В 1965 году был построен пассажирский терминал, и именно этот год официально считается годом создания международного аэропорта Борисполь.

Первые десятилетия отсюда осуществлялись только перевозки внутри Советского Союза. В 80-х годах XX века отсюда из Борисполя стартовали первые международные рейс, которыми летали лишь руководители республики и страны. А уже после распада СССР аэропорт открылся для всех пассажиров и любых рейсов.

Теперь из Борисполя за границу смогли отправиться и обычные граждане Украины.

В 2000-х годах Борисполь стал одним из крупнейших в Восточной Европе аэропортом-хабом, обслуживающим транзитные рейсы иностранных авиакомпаний. В 2012 году открылся новый международный терминал D. Планировалось строительство железнодорожной ветки, соединяющей аэропорт с Киевом, но экономический кризис в стране отсрочил эти планы на неопределенное время.

В настоящее время Борисполь состоит из нескольких терминалов, большая часть из которых находятся на реконструкции или совсем закрыты.

Крупнейший терминал Украины начал свою работу в конце мая 2012 года перед открытием Чемпионата Европы по футболу, несколько матчей которого (включая финал) проводилась в Киеве. Он был построен специально для обслуживания пассажиров международных рейсов, но со временем в него перенесли и домашние рейсы. Сейчас он является единственным действующим пассажирским терминалом аэропорта Борисполь.

Его площадь равна 107000 квадратным метрам. За 1 час терминал способен обслуживать около 6000 пассажиров (поровну на вылет и прилет), что составляет примерно 10 миллионов человек в год.

Терминал состоит из нескольких уровней. Залы вылета находятся на верхних этажах (3 и 4), здесь расположено более 60 стоек регистрации и 11 выходов на посадку. Прилетающие пассажиры попадают на нижние уровни (2), здесь же принимается и отправляется багаж.

На 2-м уровне находится и зона вылета внутренних рейсов.

В терминале D есть камера хранения, несколько кафе и магазины Duty Free. Здесь регулярно проводятся художественные выставки. Действует бесплатный wi-fi.

Международный аэропорт Борисполь находится примерно в 18 км к востоку от столицы Украины (35 км от центра Киева), на территории одноименного города.

Добраться до аэропорта Борисполь можно несколькими способами, различающимися уровнем комфорта, стоимостью и потраченным на дорогу временем.

Самый дешевый вариант – это воспользоваться общественным транспортом. Автобусы от киевского метро «Левобережная» (№316) и Харьковская (№317) идут в город Борисполь, где придется пересесть на автобус, едущий по одному из маршрутов №2, 11, 16, 3В, 17.

SkyBus – сравнительно новый вид транспорта, связывающего украинскую столицу и ее главный аэропорт. Это комфортабельные автобусы № 322, круглосуточно отправляющиеся от железнодорожного вокзала Южный. С 6 утра до 10 вечера он отходит каждые 15 минут, в ночное время интервал больше – 45 минут.

Время в пути – от 50 минут и дольше (зависит от плотности движения). Билет в одном направлении стоит 50 гривен, купить его можно у водителя (в этом случае стоимость выше) или на сайте перевозчика: http://www.skybus.kiev.ua

Проще всего преодолеть расстояние между Киевом и аэропортом на такси. Можно поймать его на месте или заказать заранее (этот вариант дешевле). Стоимость поездки составит от 200 до 300 гривен, длительность – примерно час (в зависимости от траффика и нужной точки города).

Чтобы добраться в аэропорт можно воспользоваться услугой шаттл-такси и забронировать микроавтобус. Стоимость поездки будет зависеть от количества пассажиров, можно запросить детское кресло.

Самые состоятельные пассажиры имеют возможность прилететь в аэропорт на вертолете. Такую услугу предлагают некоторые прокатные компании. Плюсы этого варианта – быстрота (15 минут) и панорамы Киева и окрестностей, минусы – высокая стоимость.

Аренда вертолета на час (это минимально возможное время) стоит около 2500 евро.

Видео ниже ознакомит нас с внутренним устройством аэровокзала, расскажет о том, как подключиться к Wi-Fi, где упаковать багаж, что делать, если вы не знаете, куда вам нужно идти и о множестве других, не менее полезных, вещей.

Интересные записи на сайте Fly-inform.ru:

Аэропорт шереметьево терминал д парковка схема проезда

Аэропорт шереметьево терминал д парковка схема проезда Аэропорт шереметьево терминал д парковка схема проезда
Подробный план терминалов московского шереметьево, карта.
Аэропорт шереметьево / sheremetyevo (москва, россия) svo.

В аэропорт шереметьево на belkacar.

Парковка в шереметьево у терминала c, d, e, f подробная.

Парковка в аэропорту шереметьево | parkingsvo.

Схема аэропорта / международный аэропорт шереметьево.
Парковка терминал d аэропорта шереметьево youtube.
Все о парковке в шереметьево (терминал d): стоимость часа.

Многоуровневый паркинг терминала d | parkingsvo.

Въезд на парковку аэропорта шереметьево на делимобиле.
Контакты авиационная школа аэрофлота авиашкола.
Как добраться до аэропорта шереметьево иностранно. Ру.

Пособие по использованию парковки терминала d youtube.

Схема аэропорта шереметьево терминалы д, f, e, b, c, a.

Парковка в шереметьево park&fly – стоянка у аэропорта.

Каршеринг и аренда автомобиля в аэропортах москвы.

Как добраться до аэропорта шереметьево.
Как добраться из москвы в аэропорт шереметьево.
Парковка / международный аэропорт шереметьево. Международный аэропорт шереметьево: как доехать, схема.Sos скачать скайрим Гдз по истории 7 класс по учебнику ответы на вопросы Кубот нот с драйвера Лепс скачать mp3 Американская история ужасов 6 сезон скачать торрент
Обращение к пользователям

Неофарм аэропорт, терминал D Аптека – описание компании, схема проезда

НеофармНет оценокг. Санкт-Петербург, пр-кт Невский, д. 79

район Центральный

Площадь ВосстанияМаяковскаяДостоевская

+7 812 3892…Показать телефон

КруглосуточноОткрыто

Неофарм5.00 — 2 оценкиг. Москва, б-р Осенний, д. 16, корп. 1

ЗАО, район Крылатское

КрылатскоеМолодёжная

+7 495 5855…Показать телефон

КруглосуточноОткрыто

Неофарм в ЖелезнодорожномНет оценокг. Железнодорожный, ул. Береговая, д. 4А

Некрасовка

+7 495 5855…Показать телефон

Сегодня c 9:00 — 21:00Открыто

Неофарм в ВидномНет оценокг. Видное, ул. Радужная, д. 2

+7 495 5855…Показать телефон

Сегодня c 10:00 — 22:00Открыто

Неофарм в ДмитровеНет оценокг. Дмитров, мкр Аверьянова, д. 17

+7 495 5855…Показать телефон

Сегодня c 9:00 — 21:00Открыто

Неофарм в Дмитрове на ИнженернойНет оценокг. Дмитров, ул. Инженерная, д. 25, корп. 1

+7 495 5855…Показать телефон

Сегодня c 9:00 — 21:00Открыто

Неофарм в Дмитрове на КомсомольскойНет оценокг. Дмитров, ул. Комсомольская, д. 23

+7 495 5855…Показать телефон

Сегодня c 8:00 — 21:00Открыто

Неофарм в Дмитрове на МарковаНет оценокг. Дмитров, ул. Маркова, д. 22А

+7 495 5855…Показать телефон

Сегодня c 8:00 — 21:00Открыто

Неофарм в ДолгопрудномНет оценокг. Долгопрудный, ул. Дирижабельная, д. 24

+7 495 5855…Показать телефон

Сегодня c 9:00 — 21:00Открыто

Неофарм в Егорьевске на СоветскойНет оценокг. Егорьевск, ул. Советская, д. 197/17

+7 495 5855…Показать телефон

Сегодня c 8:00 — 20:00Открыто

Неофарм в КаширеНет оценокг. Кашира, ул. Стрелецкая, д. 68

+7 495 5855…Показать телефон

Сегодня c 9:00 — 21:00Открыто

Неофарм в КрасногорскеНет оценокг. Красногорск, ш. Новорижское 26-й км, д. 1

+7 495 5855…Показать телефон

КруглосуточноОткрыто

Неофарм в МосковскомНет оценокг. Московский, ш. Киевское 23-й км, д. 1

СаларьевоФилатов Луг

+7 495 5855…Показать телефон

Сегодня c 10:00 — 22:00Открыто

Неофарм в МытищахНет оценокг. Мытищи, ш. Осташковское, д. 2, корп. 1

Медведково

+7 495 5855…Показать телефон

КруглосуточноОткрыто

Неофарм в НекрасовскомНет оценокг. Дмитров, ул. Льва Толстого, д. 8А

+7 495 5855…Показать телефон

Сегодня c 8:00 — 20:00Открыто

Неофарм в НовосиньковоНет оценокг. Дмитров, п. Новосиньково, д. 44

+7 800 5551…Показать телефон

Сегодня c 9:00 — 21:00Открыто

Неофарм в Орехово-Зуево на КрасноармейскойНет оценокг. Орехово-Зуево, ул. Красноармейская, д. 13А

+7 495 5855…Показать телефон

Сегодня c 8:30 — 17:30Открыто

Неофарм в Орехово-Зуево на ПролетарскойНет оценокг. Орехово-Зуево, ул. Пролетарская, д. 16

+7 495 5855…Показать телефон

Сегодня c 8:00 — 20:00Открыто

Неофарм в Павловском ПосадеНет оценокг. Павловский Посад, ул. Интернациональная, д. 98

+7 495 5855…Показать телефон

Сегодня c 8:00 — 20:00Открыто

Неофарм в Павловском Посаде на ФрунзеНет оценокг. Павловский Посад, ул. Фрунзе, д. 41

+7 495 5855…Показать телефон

Сегодня c 9:00 — 21:00Открыто

Неофарм в ПересветеНет оценокг. Пересвет, ул. Строителей, д. 1

+7 496 5514…Показать телефон

Сегодня c 8:00 — 21:00Открыто

Неофарм в СерпуховеНет оценокг. Серпухов, ш. Борисовское, д. 1

+7 495 5855…Показать телефон

Сегодня c 9:00 — 22:00Открыто

Неофарм в ТалдомеНет оценокг. Талдом, мкр Юбилейный, д. 17

+7 495 5855…Показать телефон

Сегодня c 9:00 — 21:00Открыто

Неофарм в ХимкахНет оценокг. Химки, пр-кт Мельникова, д. 2Б

Планерная

+7 495 5855…Показать телефон

КруглосуточноОткрыто

Неофарм в ШереметьевоНет оценокг. Химки, Шереметьево, терминал D

+7 495 5855…Показать телефон

КруглосуточноОткрыто

Неофарм в ШереметьевоНет оценокг. Химки, Шереметьево, терминал D

+7 495 5855…Показать телефон

КруглосуточноОткрыто

Неофарм в ШереметьевоНет оценокг. Химки, Шереметьево, терминал D

+7 495 5855…Показать телефон

КруглосуточноОткрыто

Неофарм в ШереметьевоНет оценокг. Химки, Шереметьево, терминал Е

+7 495 5855…Показать телефон

КруглосуточноОткрыто

Неофарм на 60 лет ОктябряНет оценокг. Москва, пр-кт 60 лет Октября, д. 31/18, корп. 1

ЮЗАО, район Академический

АкадемическаяВоробьёвы горы

+7 495 5855…Показать телефон

Сегодня c 8:00 — 21:00Открыто

Неофарм на КраснодарскойНет оценокг. Москва, ул. Краснодарская, д. 57, корп. 1

ЮВАО, район Люблино

Люблино

+7 495 5855…Показать телефон

Сегодня c 8:00 — 22:00Открыто

Неофарм на Маршала Бирюзова5.00 — 3 оценкиг. Москва, ул. Маршала Бирюзова, д. 13

СЗАО, район Щукино

Октябрьское полеСоколХорошёвская

+7 495 5855…Показать телефон

КруглосуточноОткрыто

Неофарм на 1-й Тверской-ЯмскойНет оценокг. Москва, ул. 1-я Тверская-Ямская, д. 25, стр. 1

ЦАО, район Тверской

БелорусскаяМенделеевскаяНовослободская

+7 495 5855…Показать телефон

КруглосуточноОткрыто

Неофарм на 2-й КабельнойНет оценокг. Москва, ул. 2-я Кабельная, д. 2, стр.25

ЮВАО, район Лефортово

АвиамоторнаяЛефортовоРимская

+7 495 5855…Показать телефон

Сегодня c 8:00 — 21:00Открыто

Неофарм на 2-й Кабельной 2Нет оценокг. Москва, ул. 2-я Кабельная, д. 2, стр.37

ЮВАО, район Лефортово

АвиамоторнаяНижегородскаяРимская

+7 495 5855…Показать телефон

Сегодня c 8:00 — 21:00Открыто

Неофарм на 2-й РейсовойНет оценокг. Москва, ул. 2-я Рейсовая, д. 2, корп. 5

ЗАО, район Внуково

Рассказовка

+7 495 5855…Показать телефон

КруглосуточноОткрыто

Неофарм на 7-ой КожуховскойНет оценокг. Москва, ул. 7-ая Кожуховская, д. 9

ЮАО, район Нагорный

ДубровкаАвтозаводскаяВолгоградский проспект

+7 495 5855…Показать телефон

Сегодня c 10:00 — 22:00Открыто

Неофарм на АвангарднойНет оценокг. Красногорск, ул. Авангардная, д. 3

МякининоВолоколамская

+7 495 5855…Показать телефон

Сегодня c 10:00 — 22:00Открыто

Неофарм на АрбатНет оценокг. Москва, ул. Старый Арбат, д. 1

ЦАО, район Арбат

АрбатскаяБоровицкаяАлександровский сад

+ 7 495 585…Показать телефон

Сегодня c 8:00 — 23:00Открыто

Неофарм на БауманскойНет оценокг. Москва, ул. Бауманская, д. 33/2, стр.1

ЦАО, район Басманный

БауманскаяКрасносельскаяЛефортово

+7 495 5855…Показать телефон

Сегодня c 8:00 — 23:00Открыто

Неофарм на БереговомНет оценокг. Москва, пр-д Береговой, д. 5А, корп. 1

ЗАО, район Филёвский Парк

ФилиШелепихаПарк Победы

+7 495 5855…Показать телефон

Сегодня c 10:00 — 22:00Открыто

Неофарм на Большой ЯкиманкеНет оценокг. Москва, ул. Большая Якиманка, д. 52

ЦАО, район Якиманка

ОктябрьскаяПолянкаДобрынинская

+7 495 5855…Показать телефон

КруглосуточноОткрыто

Неофарм на БорисовскомНет оценокг. Серпухов, ш. Борисовское, д. 1

+7 496 7763…Показать телефон

Сегодня c 10:00 — 22:00Открыто

Неофарм на БратиславскойНет оценокг. Москва, ул. Братиславская, д. 6

ЮВАО, район Марьино

Братиславская

+7 495 5855…Показать телефон

КруглосуточноОткрыто

Неофарм на ВавиловаНет оценокг. Москва, ул. Вавилова, д. 6

ЮЗАО, район Гагаринский

Ленинский проспектФрунзенскаяТульская

+7 495 5855…Показать телефон

Сегодня c 8:00 — 23:00Открыто

Неофарм на ВаршавскомНет оценокг. Москва, ш. Варшавское, д. 158, корп. 2

ЮАО, район Чертаново Южное

АнниноЛесопарковая

+7 495 5855…Показать телефон

КруглосуточноОткрыто

Неофарм на ВеласкесаНет оценокг. Москва, б-р Веласкеса, д. 1, корп. 2

район НМАО

Прокшино

+7 495 5855…Показать телефон

Сегодня c 10:00 — 22:00Открыто

Неофарм на ВоротынскойНет оценокг. Москва, ул. Воротынская, д. 18

СЗАО, район Куркино

Пятницкое шоссеПланернаяМитино

+7 495 5855…Показать телефон

Сегодня c 10:00 — 22:00Открыто

Неофарм на ВысоковольтномНет оценокг. Москва, пр-д Высоковольтный, д. 1, корп. 2

СВАО, район Бибирево

Бибирево

+7 495 5855…Показать телефон

Сегодня c 9:00 — 21:00Открыто

Неофарм на Генерала Белобородова5.00 — 1 оценкаг. Москва, ул. Генерала Белобородова, д. 16, корп. 1

СЗАО, район Митино

МитиноВолоколамскаяПятницкое шоссе

+7 495 5855…Показать телефон

КруглосуточноОткрыто

Неофарм на Земляном ВалуНет оценокг. Москва, ул. Земляной Вал, д. 9

ЦАО, район Басманный

КурскаяЧкаловскаяКрасные ворота

+7 495 5855…Показать телефон

Сегодня c 8:00 — 20:00Открыто

Неофарм на ЗубовскомНет оценокг. Москва, б-р Зубовский, д. 15, стр.1

ЦАО, район Хамовники

Парк культурыСмоленскаяОктябрьская

+7 495 5855…Показать телефон

Сегодня c 8:00 — 23:00Открыто

Неофарм на КаменноостровскомНет оценокг. Санкт-Петербург, пр-кт Каменноостровский, д. 40

район Петроградский

ПетроградскаяЧкаловская

+7 495 5855…Показать телефон

Сегодня c 8:00 — 23:00Открыто

Неофарм на Каширском1.00 — 1 оценкаг. Москва, ш. Каширское, д. 61Г

ЮАО, район Орехово-Борисово Северное

ДомодедовскаяШипиловскаяОрехово

+7 495 5855…Показать телефон

Сегодня c 9:00 — 22:00Открыто

Неофарм на Каширском 65Нет оценокг. Москва, ш. Каширское, д. 65, корп. 1

ЮАО, район Орехово-Борисово Южное

ДомодедовскаяЗябликовоКрасногвардейская

+7 495 5855…Показать телефон

Сегодня c 10:00 — 22:00Открыто

Неофарм на КиевскомНет оценокг. Москва, ш. Киевское, д. 6

район НМАО

Румянцево

+7 495 5855…Показать телефон

Сегодня c 8:00 — 21:00Открыто

Неофарм на КомсомольскойНет оценокг. Москва, пл. Комсомольская, д. 5, стр.1

ЦАО, район Красносельский

КомсомольскаяСретенский бульварБауманская

+7 495 5855…Показать телефон

КруглосуточноОткрыто

Неофарм на Красной ПреснеНет оценокг. Москва, ул. Красная Пресня, д. 30, стр.1

ЦАО, район Пресненский

Улица 1905 годаКраснопресненскаяКиевская

+7 495 5855…Показать телефон

Сегодня c 8:00 — 23:00Открыто

Неофарм на Крутицком ВалуНет оценокг. Москва, ул. Крутицкий Вал, д. 8/22, стр. 1

ЦАО, район Таганский

ПролетарскаяКрестьянская заставаМарксистская

+7 495 5855…Показать телефон

Сегодня c 8:00 — 22:00Открыто

Неофарм на КрылатскойНет оценокг. Москва, ул. Крылатская, д. 17, корп. 3

ЗАО, район Крылатское

Крылатское

+7 495 5855…Показать телефон

Сегодня c 8:45 — 19:30Открыто

Неофарм на КутузовскомНет оценокг. Москва, пр-кт Кутузовский, д. 14, стр.1

ЗАО, район Дорогомилово

КиевскаяСтуденческаяДеловой центр

+7 495 5855…Показать телефон

КруглосуточноОткрыто

Неофарм на Кутузовском 32Нет оценокг. Москва, пр-кт Кутузовский, д. 32, корп. 1

ЗАО, район Дорогомилово

КутузовскаяДеловой центрПарк Победы

+7 495 5855…Показать телефон

Сегодня c 8:00 — 21:00Открыто

Неофарм на ЛенинградскомНет оценокг. Москва, ш. Ленинградское, д. 112, корп. 3

САО, район Левобережный

БеломорскаяПланернаяРечной вокзал

+7 495 5855…Показать телефон

КруглосуточноОткрыто

Неофарм на Ленинском 74Нет оценокг. Москва, пр-кт Ленинский, д. 74

ЮЗАО, район Ломоносовский

УниверситетНовые Черёмушки

+7 495 5855…Показать телефон

КруглосуточноОткрыто

Неофарм на Малой ОрдынкеНет оценокг. Москва, ул. Малая Ордынка, д. 3

ЦАО, район Замоскворечье

ТретьяковскаяНовокузнецкаяПолянка

+7 495 5855…Показать телефон

Сегодня c 8:00 — 23:00Открыто

Неофарм на Малом ПалашевскомНет оценокг. Москва, пер. Малый Палашевский, д. 2/8

ЦАО, район Тверской

ПушкинскаяТверскаяЧеховская

+7 495 5855…Показать телефон

Сегодня c 8:00 — 23:00Открыто

Неофарм на МираНет оценокг. Москва, пр-кт Мира, д. 108

СВАО, район Алексеевский

АлексеевскаяМарьина роща

+7 495 5855. ..Показать телефон

Сегодня c 8:00 — 23:00Открыто

Неофарм на Мира 182Нет оценокг. Москва, пр-кт Мира, д. 182

СВАО, район Останкинский

ВДНХ

+7 495 5855…Показать телефон

КруглосуточноОткрыто

Неофарм на МичуринскомНет оценокг. Москва, пр-кт Мичуринский, д. 34

ЗАО, район Раменки

РаменкиПроспект Вернадского

+7 495 5855…Показать телефон

Сегодня c 8:00 — 23:00Открыто

Неофарм на Мичуринском 20Нет оценокг. Москва, пр-кт Мичуринский, д. 20

ЗАО, район Раменки

РаменкиУниверситет

+7 495 5855…Показать телефон

КруглосуточноОткрыто

Неофарм на Мичуринском 4Нет оценокг. Москва, пр-кт Мичуринский, д. 4, корп. 2

ЗАО, район Раменки

Ломоносовский проспектВоробьёвы горыПарк Победы

+7 495 5855…Показать телефон

Сегодня c 8:00 — 23:00Открыто

Неофарм на Мичуринском 6Нет оценокг. Москва, пр-кт Мичуринский, д. 6, корп. 1

ЗАО, район Раменки

Ломоносовский проспектПарк ПобедыУниверситет

+7 499 6494…Показать телефон

Сегодня c 8:00 — 20:00Открыто

Неофарм на Наташи КовшовойНет оценокг. Москва, ул. Наташи Ковшовой, д. 15

ЗАО, район Тропарёво-Никулино

Озёрная

+7 495 5855…Показать телефон

Сегодня c 8:00 — 21:00Открыто

Неофарм на Невском 54Нет оценокг. Санкт-Петербург, пр-кт Невский, д. 54

район Центральный

Гостиный дворНевский проспектДостоевская

+7 495 5855…Показать телефон

КруглосуточноОткрыто

Неофарм на Нижней РадищевскойНет оценокг. Москва, ул. Нижняя Радищевская, д. 10, стр.1

ЦАО, район Таганский

ТаганскаяМарксистскаяЧкаловская

+7 495 5855…Показать телефон

Сегодня c 8:00 — 23:00Открыто

Неофарм на НовинскомНет оценокг. Москва, б-р Новинский, д. 1/2

ЦАО, район Арбат

СмоленскаяБаррикаднаяКраснопресненская

+7 495 5855…Показать телефон

КруглосуточноОткрыто

Неофарм на Новинском 14Нет оценокг. Москва, б-р Новинский, д. 14

ЦАО, район Арбат

СмоленскаяБаррикаднаяКраснопресненская

+7 495 5855…Показать телефон

КруглосуточноОткрыто

Неофарм на НовочеркасскомНет оценокг. Москва, б-р Новочеркасский, д. 10, корп. 1

ЮВАО, район Марьино

МарьиноБорисово

+7 495 5855…Показать телефон

Сегодня c 9:00 — 21:00Открыто

Неофарм на НовоясеневскомНет оценокг. Москва, пр-кт Новоясеневский, д. 1, корп. 2

ЮЗАО, район Ясенево

Тёплый Стан

+7 495 5855…Показать телефон

КруглосуточноОткрыто

Неофарм на ОбручеваНет оценокг. Москва, ул. Обручева, д. 55А

ЮЗАО, район Черёмушки

Калужская

+7 495 5855…Показать телефон

Сегодня c 9:00 — 21:00Открыто

Неофарм на ОвчинниковскойНет оценокг. Москва, наб. Овчинниковская, д. 22/24, стр. 1

ЦАО, район Замоскворечье

НовокузнецкаяТретьяковскаяПолянка

+7 499 6491…Показать телефон

Сегодня c 8:00 — 23:00Открыто

Неофарм на ОдесскойНет оценокг. Москва, ул. Одесская, д. 2

ЮЗАО, район Зюзино

Нахимовский проспектКаховская

+7 495 5855…Показать телефон

Сегодня c 8:00 — 21:00Открыто

Неофарм на ОзёрнойНет оценокг. Москва, ул. Озерная, д. 2, корп. 1

ЗАО, район Проспект Вернадского

Мичуринский проспект

+7 495 5855…Показать телефон

Сегодня c 9:00 — 22:00Открыто

Неофарм на ОружейномНет оценокг. Москва, пер. Оружейный, д. 41

КрылатскоеМолодёжная

+7 495 5855…Показать телефон

Сегодня c 8:00 — 21:00Открыто

Неофарм на ОршанскойНет оценокг. Москва, ул. Оршанская, д. 9, стр.1

ЗАО, район Кунцево

МолодёжнаяКрылатское

+7 495 5855…Показать телефон

Сегодня c 9:00 — 21:00Открыто

Неофарм на ОстоженкеНет оценокг. Москва, ул. Остоженка, д. 7, стр. 1

ЦАО, район Хамовники

КропоткинскаяБоровицкаяАрбатская

+7 495 5855…Показать телефон

Сегодня c 8:00 — 23:00Открыто

Неофарм на площади Киевского вокзалаНет оценокг. Москва, пл. Киевского Вокзала, д. 1

ЗАО, район Дорогомилово

КиевскаяСтуденческаяФрунзенская

+7 495 5855…Показать телефон

КруглосуточноОткрыто

Неофарм на ПресненскойНет оценокг. Москва, наб. Пресненская, д. 8, стр.1

ЦАО, район Пресненский

Деловой центрВыставочнаяПарк Победы

+7 495 5855…Показать телефон

Сегодня c 8:00 — 22:00Открыто

Неофарм на Пресненской 10Нет оценокг. Москва, наб. Пресненская, д. 10, стр.2

ЦАО, район Пресненский

МеждународнаяДеловой центрПарк Победы

+7 495 5855…Показать телефон

Сегодня c 8:00 — 21:00Открыто

Неофарм на Пресненской 12Нет оценокг. Москва, наб. Пресненская, д. 12

ЦАО, район Пресненский

Деловой центрМеждународнаяПарк Победы

+7 495 5855…Показать телефон

Сегодня c 9:00 — 21:00Открыто

Неофарм на РублевскомНет оценокг. Москва, ш. Рублевское, д. 16, корп. 1

ЗАО, район Кунцево

КунцевскаяМолодёжная

+7 495 5855…Показать телефон

КруглосуточноОткрыто

Неофарм на Садовой-СпасскойНет оценокг. Москва, ул. Садовая-Спасская, д. 21, стр.1

ЦАО, район Красносельский

Красные воротаСретенский бульварТургеневская

+7 495 5855…Показать телефон

Сегодня c 8:00 — 22:00Открыто

Неофарм на СретенкеНет оценокг. Москва, ул. Сретенка, д. 27, стр. 1

ЦАО, район Мещанский

СухаревскаяСретенский бульварЧистые пруды

+7 495 5855…Показать телефон

Сегодня c 8:00 — 23:00Открыто

Неофарм на СтрастномНет оценокг. Москва, б-р Страстной, д. 8

ЦАО, район Тверской

ЧеховскаяТверскаяПушкинская

+7 495 5855…Показать телефон

КруглосуточноОткрыто

Неофарм на СущёвскойНет оценокг. Москва, ул. Сущевская, д. 27, стр. 1

ЦАО, район Тверской

МенделеевскаяНовослободскаяДостоевская

+7 495 5855…Показать телефон

Сегодня c 8:00 — 22:00Открыто

Неофарм на Теплом СтанеНет оценокг. Москва, ул. Теплый стан, д. 27, стр. 1

ЮЗАО, район Тёплый Стан

ТропарёвоТёплый Стан

+7 495 5855…Показать телефон

КруглосуточноОткрыто

Неофарм на ФрунзенскойНет оценокг. Москва, наб. Фрунзенская, д. 44, стр.1

ЦАО, район Хамовники

ФрунзенскаяЛенинский проспект

+7 495 5855…Показать телефон

Сегодня c 9:00 — 23:00Открыто

Неофарм на ФутбольнойНет оценокг. Москва, ул. Футбольная, д. 17

район НМАО

+7 495 5855…Показать телефон

Сегодня c 9:00 — 22:00Открыто

Неофарм на ХодынскомНет оценокг. Москва, б-р Ходынский, д. 4

САО, район Аэропорт

ЦСКААэропортПолежаевская

+7 495 5855…Показать телефон

Сегодня c 10:00 — 22:00Открыто

Неофарм на ЧерняховскогоНет оценокг. Москва, ул. Черняховского, д. 4, стр.1

САО, район Аэропорт

АэропортЦСКА

+7 495 5855…Показать телефон

КруглосуточноОткрыто

Неофарм на ЧертановскойНет оценокг. Москва, ул. Чертановская, д. 1А

ЮАО, район Чертаново Северное

ЧертановскаяКаховская

+7 495 5855…Показать телефон

Сегодня c 9:00 — 22:00Открыто

Неофарм на Чонгарском5.00 — 1 оценкаг. Москва, б-р Чонгарский, д. 7

ЮАО, район Нагорный

ВаршавскаяСевастопольская

+7 495 5855…Показать телефон

Сегодня c 10:00 — 22:00Открыто

Показать ещё

Терминалы аэропорта борисполь схема. Аэропорт Борисполь, как доехать, заказать билеты, расписание аэропорта Борисполь (IATA: KBP)

Общая информация

Общая площадь: 20685,6 м2
Пропускная способность: 900 пассажиров/час (на вылет) и столько же на прилет; в пиковое время возможность обслуживания до 1500 пассажиров/час (на вылет).
Вся территория терминала оборудована системой визуальной информации (расписание движения воздушных судов, табло прилетов/вылетов, другая информация, необходимая пассажиру, находящемуся в аэровокзальном комплексе).
С точки зрения инженерной инфраструктуры, терминал оснащен современным оборудованием, позволяющим обеспечить комфортные климатические условия для пассажиров и посетителей терминала.
Все направления движения пассажиров в аэровокзальном комплексе по технологической схеме движения — понимаемы и просты.
Площадь, которая приходится на одного пассажира (как в зоне регистрации, так и в зоне ожидания). соответствует международным стандартам.
На 2-ом этаже находится комната матери и ребенка: она обеспечивает пассажирам с маленькими детьми необходимые условия для ухода за ребенком.

Зона регистрации

30 стоек регистрации с системой подачи и взвешивания багажа, 1 стойка для пассажиров с негабаритным багажом, 2 стойки таможенного оформления.
Оснащена Web-киосками, позволяющими пассажиру зарегистрироваться самостоятельно, что ускоряет процесс регистрации и не допускает образования очередей.
Оснащена всем необходимым оборудованием и программным обеспечением, позволяющим любой авиакомпании осуществлять регистрацию пассажиров и багажа в соответствующей системе своей компании.
Имеет ряд преимуществ по сравнению с терминальным комплексом В:
— большая площадь зала, возможность осуществлять регистрацию обезличенно,
— с учетом возможностей и площадей зоны сортировки багажа регистрация осуществляется не за 2 часа до вылета, а за 4-5 часов.

Зона контроля на авиабезопасность

Существенной особенностью является то, что, помимо традиционных процедур, предусматривающих контроль ручной клади с помощью рентгено-телевизионных установок, стационарных и ручных металлодетекторов, впервые в Украине внедрены бодисканеры, которые позволяют пассажиру в течение 2-3 секунд пройти досмотр без снятия верхней одежды.
Все зоны терминала оборудованы современной системой видеонаблюдения (цифровые камеры, осуществляют видеонаблюдение с целью обеспечения авиабезопасности, а также контролируют технологические процессы).

Контролируемая зона

Соответствует всем требованиям комфортного пребывания пассажиров. Зона сортировки и контроля багажа
При проектировании было учтено, что эта зона по своим площадям должна обеспечить достаточно комфортные условия для персонала, в том числе персонала службы авиабезопасности и таможни.
Особенностью является то, что в системе контроля на авиабезопасность багажа применено оборудование и технологии, впервые реализованные в Украине:
— система трехуровнего контроля на авиабезопасность, предусматривающая автоматический (на 1-ом и 2-ом уровнях) контроль содержимого багажа;
— система оснащена программой, позволяющей до 75 % багажа контролировать автоматически, что намного снижает влияние субъективных факторов — нагрузка на оператора контроля на авиабезопасность уменьшается, его функции заключаются в том, чтобы осуществить контроль в соответствующей зоне системы с помощью дополнительного рентгено-телевизионного аппарата, а при необходимости в присутствии пассажира проверить содержимое багажа.

Зона прилета

Четко определены зоны красного и зеленого коридоров. В зоне выдачи багажа – 3 карусели, размеры которых позволяют в более сжатые сроки осуществить выдачу багажа прибывшего в аэропорт пассажира.

Привокзальная площадь

Стоянка на 340 автомашин оборудована системой управления парковкой, которая позволит упорядочить предоставление услуг по перевозке пассажиров таксомоторами и автобусами. Система позволяет четко контролировать предоставление этих услуг только компаниями, имеющими соответствующие договора с аэропортом.

Список авиакомпаний, которые совершают рейсы из терминала F

Терминал «А» обслуживает авиапассажиров, которые путешествуют в пределах Украины. В терминале на втором этаже расположен удобный зал ожидания, туалет (цокольный этаж), пункты обмена валюты, авиасправка по рейсам в пределах Украины, представительства авиакомпаний, которые осуществляют внутренние рейсы. Основной терминал аэропорта, для обслуживания большей части авиапассажиров, которые отправляются в дальнее и ближнее зарубежье. В терминале сосредоточены магазины, кафе и бары, представительства авиакомпаний, туристических фирм, банков, доступ к сети Интернет, бизнес-центр, камера хранения.
Терминал С, который предназначен для VIP-обслуживание пассажиров, имеет собственую охраняемую парковку. В зале – уютная отдельная комната отдыха, услуги связи, залы для проведения пресс-конференции, совещаний и банкетов. Высокий уровень обслуживания, максимальное внимание к пожеланиям заказчика и доброжелательность, гарантируются.

28 мая 2012 года в аэропорту Борисполь открыли терминал D. C момента начала строительства прошло 3,5 года. С момента, когда возникла идея построить большой современный аэровокзал в главных воздушных воротах Украины, прошло десятилетие.

Проект видоизменялся, стоимость строительства росла. Если изначально терминал планировали построить на средства японского кредита, который составлял около 172 млн. долл., то теперь доля японских денег в общей смете строительства — менее трети. Терминал обошелся в 4,8 млрд. грн (около 600 млн. долл.).

Планы на следующий год предусматривают строительство дополнительных 34 тыс. кв. метров площадей для того, чтобы расширить торговую зону и видоизменить планировку. Это позволит обслуживать тут не только международные, но и внутренние рейсы.

Сейчас визуально большинство зон, открытых пассажиру, выглядят готовыми.

Однако терминал D — это новый уровень автоматизации всех процессов. И не совсем ясно, насколько готова невидимая глазу обычного обывателя инфраструктура. По крайней мере второй этаж здания был полностью закрыт, а на остальных периодически встречались торчащие из потолка провода и отсутствие декоративных плит, закрывающих технические туннели.

Еще одной особенностью открытий по-украински является то, что рейсы в новый терминал не переводятся на следующий день. 29 мая действительно терминал D принял на прилет один рейс из Ирана. Однако это был скорее имиджевый шаг.

На данный момент не известен график перевода рейсов в новый аэровокзал. Официально объявлено только о том, что достигнута предварительная договоренность с авиакомпанией Lufthansa о переводе ее рейсов в терминал D с 1 августа . Однако, например, крупнейшая базовая авиакомпания аэропорта Борисполь — АэроСвит — не получала предложений о переводе рейсов в новое здание.

Таким образом, как минимум в течение нескольких месяцев обычные пассажиры не смогут посмотреть воочию терминал D изнутри. В течение нескольких недель в июне и июле он будет обслуживать на прилет и вылет только чартеры с болельщиками, которые прилетят на Евро 2012. Впрочем, о таком развитии событий было известно еще в феврале 2011 года.

В день открытияпрошел дорогами будущих пассажиров нового терминала D . На 4-х страницах мы покажем и объясним планирование различных зон для авиапутешественников.

Вылетающие пассажиры высаживаются на третьем этаже терминала на эстакаде и проходят в терминал.

Здесь они попадают в большой просторный зал с 3 островами регистрации и местами для ожидания. По центру зала находится огромная незаполненная площадь.

С одной стороны она добавляет простора и воздушности новому терминалу D, с другой — огромная площадь совершенно не используется, что приводит к тому, что торговых площадей в новом аэровокзале столько же, сколько в старом терминале B, размеры которого в 3 раза меньше.

Стойки регистрации объединены в острова. Такая система довольно распространена в аэропортах за рубежом. В Украине она будет применяться только в аэропорту Борисполь.

Аэропорт Борисполь является самым большим аэропортом Украины по пассажиропотоку, числу авиакомпаний, маршрутов и рейсов. На данным сайте про аэропорт Борисполь вы можете получить всю необходимую справку для путешествия.

Заказать авиабилеты на самолет на рейсы из аэропорта Борисполь Вы можете на . Просто выберите маршрут и даты, и система подберет для Вас наиболее оптимальные варианты перелета. Также с помощью формы бронирования вы можете проверить расписание из аэропорта Борисполь и табло выполнения рейсов . Аэропорт «Борисполь». Кликните на фотографии для увеличения

Государственное предприятие Международный Аэропорт Борисполь (официальное название на украинском языке Державне підприємство Міжнародний Аеропорт «Бориспіль») расположен в 30 км к юго-востоку от Киева.

Пассажирские и грузовые перевозки начались 7 июля 1959 года. Первые авиарейсы были совершены по маршрутам Москва-Киев-Москва и Ленинград-Киев-Ленинград. В ноябре 1960 года в Борисполе начала базироваться группа самолётов Ту-104 и Ан-10.

Инфраструктура

Аэропорт «Борисполь» обладает двумя взлетно-посадочными полосами длиной 4000метров ILS III CAT и ILS I CAT (полоса 36R/18L ) и 3527 ме тров ILS I CAT (полоса 36L/18R) .

Наличие оборудования ILS III CAT для инструментальной посадки , которое соответствует III категории ICAO на одной из полос (которая была полностью реконструирована), позволяет принимать воздушные суда даже в самых плохих метеоусловияхпри видимости не менее 200 метров.

28 мая 2012 года в аэропорту Борисполь был открыт самый большой терминал D. С октября 2014 года он принимает все международные и внутренние рейсы.

Из Киева в аэропорт Борисполь можно добраться автобусов или такси. Стоимость поездки может составить 5 0-80 грн. при выборе автобуса и 300 грн.и выше при выборе такси.

Наиболее дешевый способ добраться в аэропорт Борисполь на такси — заказать поездку в городской службе такси. Благодаря этому вы без переплат комфортно сможете добраться из аэропорта или в аэропорт из Киева. Телефоны городских служб такси указаны ниже.

До Южного железнодорожного терминала жд вокзала Киев-пассажирский из аэропорта Борисполь можно добраться на автобусах Skybus (Скайбас, бывший «Полет») Они отправляются с интервалом в 15-60 мин. в зависимости от времени суток. На маршруте курсируют разные типы автобусов, в том числе старые и маленькие. Остановка автобусов находится напротив выхода из зала прилетов терминала D.

По пути на вокзал автобусы делают остановку только у станции метро Харьковская.

Время в пути от аэропорта Борисполь до метро Харьковская — 20 минут. Время в пути до железнодорожного вокзала — 50-55 минут. Если вы едете из аэропорта на вокзал в утренний час пик, из-за пробок время в пути может увеличиться до 2 часов. Если вам нужно срочно на вокзал, рекомендуем встать у метро Харьковская и доехать до вокзала (станция метро Вокзальная) на метро.

Автобусы курсируют из аэропорта круглосуточно каждые 15-30 минут в зависимости от времени суток. Ночью интервал движения автобусов в аэропорт увеличивается до 6 0 минут.

Как доехать из Киева в аэропорт Борисполь

В аэропорт автобусы Skybus («Полет») отъезжают также с Южного железнодорожного жд вокзала Киева (новая синяя часть центрального жд вокзала).Место остановки автобусов в аэропорт обозначено выше.

Время в пути от вокзала Киева до аэропорта Борисполь — 50-55 минут. В случае, если вы едете в аэропорт в вечерний час-пик, из-за пробок время в пути может увеличиться до 2 часов.

Как доехать от метро Харьковская в аэропорт Борисполь

Доехать в аэропорт Борисполь можно ТОЛЬКО от станции метро Харьковская. От других станций метро (кроме метро Вокзальная) автобусы не отправляются.

Метро Харьковская: выход из последнего вагона по ходу поезда из центра. Поднимитесь по ступенькам, пройдите выходные турникеты, поверните направо и следуйте до выхода из подземного перехода.

После выхода на поверхность вы увидите эстакаду и автобусную остановку. Автобусы Skybus («Полет») останавливаются тут. Автобусы курсируют в аэропорт круглосуточно каждые 15-30 минут в зависимости от времени суток. Ночью интервал движения автобусов в аэропорт увеличивается до 6 0 минут.

Время в пути от метро Харьковская в аэропорт — 20 минут.

Directorio de tiendas — Walmart México

# 1549
Av. De Los Maestros
Средний. Aguascalientes Sur N ° 402
Aguascalientes
Aguascalientes 20205
Мексика
Агуаскальентес Агуаскальентес
# 2092
Кампестре
Бул.Lic. Miguel De La Madrid Hurtado 101, Lomas Del Campestre
Агуаскальентес
Агуаскальентес 20119
Мексика
Агуаскальентес Агуаскальентес
# 2271
Агуаскальентес Ориенте
Средний.Aguascalientes Oriente No. 2606
Aguascalientes
Aguascalientes 20198
Мексика
Агуаскальентес Агуаскальентес
# 2346
Агуаскальентес
Средний.Индепенденсия № 2301
Агуаскальентес
Агуаскальентес 20120
Мексика
Агуаскальентес Агуаскальентес
# 2486
Ломас-дель-Чапулин
Prolongacion Tecuexe S / N, Ломас-дель-Чапулин
Агуаскальентес
Агуаскальентес 20263
Мексика
Агуаскальентес Агуаскальентес
# 2489
Инфонавит Морелос
Cuarto Andador Palenque N ° 101, Infonavit Morelos
Aguascalientes
Aguascalientes 20264
Мексика
Агуаскальентес Агуаскальентес
# 2549
Mujeres Ilustres
Diagonal Alfil N ° 402, Mujeres Ilustres
Aguascalientes
Aguascalientes 20299
Мексика
Агуаскальентес Агуаскальентес
№ 2604
Fracc.Эль-Риего
Средний. La Espiga Z 1 L 2 Mz 39, Real De Haciendas
Aguascalientes
Aguascalientes 20196
Мексика
Агуаскальентес Агуаскальентес
# 2913
Unidad Los Volcanes
Средний.Paseo De La Cruz N ° 506-B, Los Volcanes Infonavit
Aguascalientes
Aguascalientes 20255
Мексика
Агуаскальентес Агуаскальентес
# 3044
Зона Сабурбиа Агуаскальентес
Av Morelos 305, Colonia Centro
Aguascalientes
Aguascalientes 20000
Мексика
Агуаскальентес Агуаскальентес

Терминальное замещение алкила в нефуллереновом акцепторе A – D – A типа: одновременное повышение напряжения холостого хода и тока короткого замыкания для эффективного производства электроэнергии внутри помещений

Два типа низкомолекулярных акцепторов нефуллерена (IDICO1 и IDICO2) на основе 2,2 ‘- ((2 Z , 2′ Z ) — ((4,4,9,9-тетрагексил-4,9- дигидро-s-индацено [1,2- b : 5,6- b ‘] дитиофен-2,7-диил) бис (метанилилиден)) бис (3-оксо-2,3-дигидро-1 H -инден-2,1-диилиден)) дималононитрил (IDIC) синтезируют путем присоединения октильных боковых цепей к концевым концевым группам.Алкильное замещение увеличивает самые низкие незанятые молекулярные орбитали (от -3,81 до -3,86 эВ) двух акцепторов по сравнению с таковой у IDIC (-3,94 эВ). Интересно, что пленки IDICO1 и IDICO2 имеют более высокие интегральные коэффициенты поглощения (1,49 × 10 7 см −1 ), чем пленка IDIC (1,29 × 10 7 см −1 ). . Кроме того, подвижность электронов у IDICO1 и IDICO2 примерно вдвое выше, чем у IDIC.Замещение концевого октила также улучшает смешиваемость с донорным полимером (PBDB-T) с образованием хорошо перемешанных смесей с уменьшенным расстоянием упаковки π – π. В результате их фотоэлектрические устройства демонстрируют значительное улучшение как напряжения холостого хода, так и плотности тока короткого замыкания по сравнению с эталонным устройством PBDB-T: IDIC, демонстрируя максимальную эффективность преобразования мощности до 9,64%, 20,4%. и 1,68% при освещении одним солнцем, светодиодом 1000 люкс и галогенной лампой соответственно, что значительно выше, чем у PBDB-T: IDIC (7.2%, 11,7% и 1,2% соответственно). Стоит отметить, что максимальная плотность мощности 141,4 мкВт / см −2 достигается для устройства на основе PBDB-T: IDICO2 под галогенной лампой, что является самым высоким значением, зарегистрированным на сегодняшний день среди значений, достигнутых при внутреннем освещении. условия.

TE Связь | Micro D | Реле, переключатели, автоматические выключатели, клеммные колодки, разъемы

Разъемы

TE Connectivity Micro D доступны в магазине March Electronics.У нас есть полная линейка серии микросхем Microdot, паяльных чашек, многожильных проводов, лент, разъемов, круглых и миниатюрных разъемов.

Разъемы серий MCK и MCD разработаны в соответствии с применимыми требованиями MlL-PRF-83513 по взаимозаменяемости, взаимозаменяемости и производительности. Разработанные как для военного, так и для коммерческого применения, MCK и MCD особенно хорошо подходят для использования в миниатюрной бортовой и космической электронике, компьютерах и испытательном оборудовании.MCK с металлическим корпусом и MCD с пластиковым корпусом доступны с чашкой для пайки, а также с заделкой сплошного или многожильного провода. Переходные блоки MCK являются стандартными для монтажа на печатных платах. Могут быть адаптированы индивидуальные конфигурации оконечной нагрузки как для MCK, так и для MCD. Micro D также поставляются в сборе с проводкой

Введение

Предназначен как для военного, так и для коммерческого применения

Низкое усилие зацепления достигается за счет конструкции контактов Twist / Con Twist Pin

Металлический корпус и пластиковый корпус доступны с колпачком для пайки и заделками сплошного или многожильного провода.

Максимальное усилие сцепления 10 унций.умноженное на количество контактов

Долговечность — Отсутствие механических или электрических дефектов, влияющих на работу разъемов после 500 циклов соединения и разъединения

Номинальный ток — максимум 3 А на контакт

Учебное пособие по физике: Требования схемы

Предположим, вам дали небольшую лампочку, электрохимический элемент и оголенный медный провод, и вас попросили найти четыре различных расположения трех элементов, которые приведут к образованию электрической цепи, которая зажгла бы лампочку.Какие четыре схемы приведут к успешному зажиганию лампочки? И что еще более важно, что общего у каждой из четырех схем, что привело бы нас к пониманию двух требований к электрической цепи?

Это упражнение само по себе является стоящим занятием, и если оно не выполнялось раньше, следует попробовать его, прежде чем читать дальше. Как и во многих других лабораторных занятиях, в фактическом участии в работе есть сила, которую нельзя заменить простым чтением о ней.Когда это упражнение выполняется в классе физики, есть множество наблюдений, которые можно сделать, наблюдая за классом, полным студентов, стремящихся найти четыре схемы. Часто используются следующие меры, которые не приводят к включению лампочки.

После нескольких минут попыток, нескольких здоровых смешков и периодических восклицаний о том, насколько нагревается провод, нескольким ученикам удается зажечь лампочку. В отличие от вышеупомянутых попыток, первая успешная попытка характеризуется созданием полной проводящей петли от положительной клеммы к отрицательной клемме, при этом как батарея, так и лампочка являются частью петли.Как показано на схеме справа, основание лампочки подключается к положительному выводу элемента, а провод проходит от ребристых сторон лампочки вниз к отрицательному выводу элемента. Создается полная проводящая петля, в которую входит лампочка. Существует цепь, и заряд течет по всему проводящему пути, зажигая при этом лампочку. Сравните расположение элемента, лампы и провода справа с неудачным расположением, показанным выше.При попытке A провод не возвращается к отрицательному выводу ячейки. При попытке B провод действительно образует петлю, но не возвращается к отрицательному выводу ячейки. В попытке C нет полного цикла. Попытка D похожа на попытку B в том, что есть петля, но не от положительной клеммы к отрицательной. И при попытке E возникает петля, и она идет от положительного вывода к отрицательному; это цепь, но лампочка в нее не входит. ВНИМАНИЕ: При попытке E ваши пальцы нагреваются, когда вы держите оголенный провод, и заряд начинает течь с высокой скоростью между положительной и отрицательной клеммами.

Анатомия лампочки

Как только одна группа студентов успешно зажигает лампочку, многие другие лабораторные группы быстро следуют ее примеру. Но тогда возникает вопрос, какими еще способами можно расположить элемент, лампочку и оголенный провод, чтобы зажечь лампочку. Часто короткий урок анатомии лампочки побуждает лабораторные группы быстро найти одну или несколько оставшихся схем.

Лампочка — это относительно простое устройство, состоящее из нити накала, опирающейся на два провода или как-то прикрепленных к ним.Провода и нить накала — это проводящие материалы, которые позволяют заряду проходить через них. Один провод подключается к ребристым сторонам лампочек. Другой провод подключается к нижнему цоколю лампочки. Ребристый край и нижнее основание разделены изоляционным материалом, который предотвращает прямой поток заряда между нижним основанием и ребристым краем. Единственный путь, по которому заряд может пройти от ребристого края к нижнему основанию или наоборот, — это путь, который включает провода и нить накала.Заряд может входить в ребристый край, проходить через нить и выходить из нижнего основания; или он может войти в нижнее основание, пройти сквозь нить и выйти из ребристого края. Таким образом, есть две возможные точки входа и две соответствующие точки выхода.

Успешный способ зажечь лампу, как показано выше, заключался в размещении нижнего основания лампы на положительной клемме и соединении ребристого края с отрицательной клеммой с помощью провода.Любой заряд, который попадает в лампочку в нижнем основании, выходит из лампы в том месте, где провод соприкасается с ребристым краем. Тем не менее, нижнее основание не обязательно должно быть той частью лампы, которая касается положительного полюса. Лампа загорится так же легко, если ребристый край поместить поверх положительной клеммы, а нижнее основание соединить с отрицательной клеммой с помощью провода. Последние две схемы, которые приводят к включению лампочки, включают размещение лампы на отрицательном выводе ячейки, либо путем соприкосновения с ребристым краем, либо с нижним основанием.Затем провод должен соединить другую часть лампы с положительной клеммой элемента.

Требование замкнутого проводящего пути

Есть два требования, которые должны быть выполнены, чтобы установить электрическую цепь. Первое наглядно продемонстрировано вышеупомянутой деятельностью. Должен быть замкнутый проводящий путь, который простирается от положительного вывода к отрицательному. Недостаточно просто наличия замкнутого проводящего контура; Сама петля должна проходить от положительного вывода к отрицательному выводу электрохимической ячейки.Электрический контур похож на водяной контур в аквапарке. Поток заряда по проводам аналогичен потоку воды по трубам и горкам в аквапарке. Если труба закупоривается или ломается так, что вода не может пройти полный путь через контур , то поток воды скоро прекратится. В электрической цепи все соединения должны быть выполнены из проводящих материалов, способных переносить заряд . По мере продолжения эксперимента с ячейкой, лампочкой и проводом некоторые студенты исследуют способность различных материалов нести заряд, вставляя их в свои цепи.Металлические материалы являются проводниками и могут быть вставлены в цепь, чтобы успешно зажечь лампочку. С другой стороны, бумага и пластмассы обычно являются изоляторами, и их вставка в цепь будет препятствовать прохождению заряда до такой степени, что ток пропадет и лампочка больше не загорится. Должен быть замкнутый проводящий контур от положительного вывода к отрицательному, чтобы установить цепь и иметь ток.

С пониманием этого первого требования к электрической цепи становится ясно, что происходит, когда лампа накаливания в настольной лампе или торшере перестает работать.Со временем нить накаливания лампочки становится слабой и хрупкой, часто может сломаться или просто ослабнуть. Когда это происходит, цепь разомкнута, и замкнутый проводящий контур больше не существует. Без замкнутого проводящего контура не может быть ни цепи, ни потока заряда, ни горящей лампочки. В следующий раз, когда вы обнаружите сломанную лампочку в лампе, осторожно извлеките ее и осмотрите нить. Часто встряхивание снятой лампы вызывает дребезжание; нить накала, вероятно, упала с опорных стоек, на которые она обычно опирается, на дно стеклянного шара.При встряхивании вы услышите стук нити, ударяющейся о стеклянный шар.

Потребность в энергоснабжении

Второе требование к электрической цепи, которое является общим для каждой из успешных попыток, продемонстрированных выше, заключается в том, что на двух концах схемы должна быть разность электрических потенциалов. Чаще всего это устанавливается при использовании электрохимической ячейки, набора ячеек (т.е.е., аккумулятор) или какой-либо другой источник энергии. Существенно, что существует некоторый источник энергии, способный увеличивать электрическую потенциальную энергию заряда, когда он перемещается от терминала с низкой энергией к терминалу с высокой энергией. Как обсуждалось в Уроке 1, для перемещения положительного тестового заряда против электрического поля требуется энергия. Применительно к электрическим цепям движение положительного тестового заряда через ячейку от вывода с низким энергопотреблением к выводу с высоким энергопотреблением является движением против электрического поля.Это движение заряда требует, чтобы над ним была проделана работа, чтобы поднять его вверх к терминалу с более высокой энергией. Электрохимическая ячейка выполняет полезную роль, поставляя энергию для работы с зарядом, чтобы накачать ее или переместить ее через ячейку от отрицательной клеммы к положительной. Таким образом, ячейка устанавливает разность электрических потенциалов на двух концах электрической цепи. (Концепция разности электрических потенциалов и ее применение к электрическим цепям подробно обсуждались в Уроке 1.)

В бытовых электрических цепях энергия подается местной коммунальной компанией, которая отвечает за обеспечение того, чтобы пластины hot и нейтральные в монтажной коробке вашего дома всегда имели разность электрических потенциалов около 110 вольт. 120 Вольт (в США). В типичной лабораторной деятельности электрохимический элемент или группа элементов (то есть батарея) используется для установления разности электрических потенциалов на двух концах внешней цепи около 1.5 Вольт (одна ячейка) или 4,5 Вольт (три ячейки в упаковке). Часто проводят аналогии между электрической цепью и водным контуром в аквапарке или поездкой на американских горках в парке развлечений. Во всех трех случаях что-то движется по полному циклу, то есть по цепи. И во всех трех случаях важно, чтобы схема включала участок, где энергия подводится к воде, каботажному кораблю или заряду, чтобы переместить его на вверх по против его естественного направления движения от низкопотенциальной энергии к низкоэнергетическому. высокая потенциальная энергия.В аквапарке есть водяной насос, который перекачивает воду с уровня земли на вершину горки. У аттракционов «американские горки» есть цепь с приводом от двигателя, которая переносит поезд каботажных вагонов от уровня земли до вершины первого падения. А электрическая цепь имеет электрохимический элемент, батарею (группу ячеек) или какой-либо другой источник энергии, который перемещает заряд с уровня земли (отрицательный вывод) на положительный вывод. Путем постоянной подачи энергии для перемещения заряда от клеммы с низкой энергией и низким потенциалом к ​​клемме с высокой энергией и высоким потенциалом можно поддерживать непрерывный поток заряда.

Устанавливая эту разницу в электрическом потенциале, заряд может течь вниз по внешней цепи. Это движение заряда естественно и не требует энергии. Подобно движению воды в аквапарке или американским горкам в парке развлечений, движение под уклон является естественным и происходит без потребности в энергии из внешнего источника. Разница потенциалов — будь то гравитационный или электрический потенциал — заставляет воду, каботажную машину и заряд двигаться.Эта разность потенциалов требует ввода энергии от внешнего источника. В случае электрической цепи одним из двух требований для создания электрической цепи является источник энергии.

В заключение, есть два требования, которые должны быть выполнены, чтобы установить электрическую цепь. Требования:

  1. Должен быть источник энергии, способный выполнять работу на зарядке, чтобы переместить его из места с низким энергопотреблением в место с высоким энергопотреблением и, таким образом, установить разность электрических потенциалов на двух концах внешней цепи.
  2. Во внешней цепи должен быть замкнутый проводящий контур, который простирается от положительной клеммы с высоким потенциалом к ​​отрицательной клемме с низким потенциалом.

Проверьте свое понимание

1. Если электрическую схему можно сравнить с водным контуром в аквапарке, то …

… батарея будет аналогична ____.

… положительный полюс аккумуляторной батареи будет аналогичен ____.

… ток аналогичен ____.

… заряд будет аналогичен ____.

… разность электрических потенциалов аналогична ____.

Выбор:

A. давление воды

Б. галлонов стекающей с горки воды в минуту

С.вода

D. нижняя часть салазок

E. водяной насос

F. верх горки

2. Используйте свое понимание требований к электрической цепи, чтобы определить, будет ли проходить заряд через следующие устройства ячеек, лампочек, проводов и переключателей.Если нет расхода заряда то объясните почему нет.

а.

б.

Поток заряда: да или нет?

Пояснение:

Поток заряда: да или нет?

Пояснение:

c.

d.

Поток заряда: да или нет?

Пояснение:

Поток заряда: да или нет?

Пояснение:

3.На схеме справа показана лампочка, подключенная к автомобильному аккумулятору 12 В. Показаны клеммы + и -.

а. Когда + заряд проходит через батарею от D к A, он ________ (получает, теряет) потенциальную энергию и ________ (получает, теряет) электрический потенциал. Точка максимальной энергии в батарее — это клемма ______ (+, -).

г.р. Когда + заряд движется по внешней цепи от A к D, он ________ (получает, теряет) потенциальную энергию и ________ (получает, теряет) электрический потенциал.Точка максимальной энергии во внешней цепи находится ближе всего к клемме ______ (+, -).

г. Используйте знаки>, <и = для сравнения электрического потенциала (В) в четырех точках цепи.

V A V B V C V D

4. В фильме « Танго и Кэш » Курт Рассел и Сильвестр Сталлоне сбегают из тюрьмы, спрыгнув с вершины высокой стены по воздуху на высоковольтную линию электропередачи.Перед прыжком Сталлоне возражает против этой идеи, говоря Расселу: «Мы собираемся поджариться». Рассел отвечает: «Вы ведь не учились в школе физики. Пока вы касаетесь только одного провода и ваши ноги не касаются земли, вас не ударит током». Это правильное утверждение?

Ворота с несколькими входами | Логические ворота

Использование логических вентилей

Инверторы и буферы

исчерпывают возможности схем с одним входом затвора.Что еще можно сделать с одним логическим сигналом, кроме как его буферизовать или инвертировать? Чтобы исследовать больше возможностей логических вентилей, мы должны добавить больше входных клемм в схемы.

Добавление дополнительных входных клемм к логическому элементу увеличивает количество возможных состояний входа. С вентилем с одним входом, таким как инвертор или буфер, может быть только два возможных состояния входа: либо вход «высокий» (1), либо «низкий» (0).

Как упоминалось ранее в этой главе, двухвходной вентиль имеет четыре возможностей (00, 01, 10 и 11).Трехвходовой вентиль имеет восемь возможностей (000, 001, 010, 011, 100, 101, 110 и 111) для состояний входа.

Количество возможных состояний входа равно двум в степени количества входов:


Это увеличение количества возможных входных состояний, очевидно, допускает более сложное поведение затвора. Теперь, вместо простого инвертирования или усиления (буферизации) одного «высокого» или «низкого» логического уровня, выходной сигнал логического элемента будет определяться любой комбинацией , единиц и нулей, присутствующей на входных клеммах.

Поскольку так много комбинаций возможно только с несколькими входными клеммами, существует много различных типов вентилей с несколькими входами, в отличие от вентилей с одним входом, которые могут быть только инверторами или буферами. В этом разделе будет представлен каждый базовый тип ворот, показывающий его стандартный символ, таблицу истинности и практическую работу. Фактическая схема TTL этих различных вентилей будет исследована в следующих разделах.

Ворота AND

Один из самых простых для понимания логических элементов с несколькими входами — это элемент И, так называемый, потому что выход этого элемента будет «высоким» (1) тогда и только тогда, когда все входы (первый вход и второй вход и .. .) являются «высокими» (1). Если какой-либо вход (а) имеет «низкий» уровень (0), выход также гарантированно находится в «низком» состоянии.


На случай, если вам интересно, логические элементы И сделаны с более чем тремя входами, но это менее распространено, чем простая разновидность с двумя входами.

Таблица истинности ворот И с двумя входами

Таблица истинности логического элемента И с двумя входами выглядит так:

И Работа схемы выборки затвора

Практическое значение этой таблицы истинности показано в следующей последовательности иллюстраций, где логический элемент И с двумя входами подвержен всем возможностям входных логических уровней.Светодиод (светоизлучающий диод) обеспечивает визуальную индикацию выходного логического уровня:

Только когда все входы повышены до «высоких» логических уровней, выход логического элемента И становится «высоким», таким образом активируя светодиод только для одного из четырех состояний комбинации входов.

Ворота NAND

Вариант идеи логического элемента И называется вентилем И-НЕ.Слово «И-НЕ» является словесным сокращением слов НЕ и И.

По сути, вентиль И-НЕ ведет себя так же, как вентиль И, с вентилем НЕ (инвертор), подключенным к выходной клемме. Чтобы обозначить эту инверсию выходного сигнала, символ логического элемента И-НЕ имеет пузырь на выходной линии.

Таблица истинности для логического элемента И-НЕ, как и следовало ожидать, в точности противоположна таблице истинности для логического элемента И:


Как и вентили И, вентили И-НЕ имеют более двух входов.В таких случаях применяется тот же общий принцип: выход будет «низким» (0) тогда и только тогда, когда все входы будут «высокими» (1). Если какой-либо вход находится на «низком уровне» (0), на выходе будет «высокий» (1).

Ворота OR

Наш следующий вентиль для исследования — вентиль ИЛИ, так называемый, потому что выход этого логического элемента будет «высоким» (1), если какой-либо из входов (первый вход или второй вход или …) будет «высоким» ( 1). Выход логического элемента ИЛИ становится «низким» (0) тогда и только тогда, когда все входы «низкие» (0).

Таблица истинности ворот ИЛИ с двумя входами

Таблица истинности логического элемента ИЛИ с двумя входами выглядит так:


Работа схемы выборки логического элемента ИЛИ

Следующая последовательность иллюстраций демонстрирует функцию логического элемента ИЛИ, при этом 2 входа испытывают все возможные логические уровни. Светодиод (светоизлучающий диод) обеспечивает визуальную индикацию выходного логического уровня затвора:

Состояние любого входа, повышенного до «высокого» логического уровня, приводит к тому, что выход логического элемента ИЛИ становится «высоким», таким образом активируя светодиод для трех из четырех состояний комбинации входов.

Ворота NOR

Как вы могли догадаться, вентиль ИЛИ-ИЛИ является вентилем ИЛИ с инвертированным выходом, точно так же, как вентиль И-НЕ является вентилем И с инвертированным выходом.


Вентили

NOR, как и все другие вентили с несколькими входами, которые мы видели до сих пор, могут быть изготовлены с более чем двумя входами. Тем не менее, применяется тот же логический принцип: выход становится «низким» (0), если какой-либо из входов становится «высоким» (1). Выход «высокий» (1) только тогда, когда все входы «низкие» (0).

Ворота отрицательного И

Отрицательный элемент И работает так же, как и элемент И, со всеми его входами инвертированными (подключенными через элементы НЕ). В соответствии со стандартным условным обозначением символа ворот, эти перевернутые входы обозначаются пузырьками.

Вопреки первому инстинкту большинства людей, логическое поведение ворот «Отрицательное И» не совпадает с логическим поведением ворот И-НЕ. Его таблица истинности фактически идентична вентилю ИЛИ-НЕ:

Ворота отрицательного ИЛИ

Следуя той же схеме, вентиль отрицательного ИЛИ работает так же, как вентиль ИЛИ, со всеми его входами инвертированными.В соответствии со стандартным условным обозначением символа ворот, эти перевернутые входы обозначаются пузырьками. Поведение и таблица истинности логического элемента отрицательного ИЛИ такая же, как и у логического элемента И-НЕ:

Ворота Exclusive-OR

Все шесть последних типов ворот представляют собой довольно прямые вариации трех основных функций: И, ИЛИ и НЕ. Однако вентиль Exclusive-OR — это совсем другое.

Вентили

«Исключающее ИЛИ» выводят «высокий» (1) логический уровень, если входы находятся на разных логических уровнях, либо 0 и 1, либо 1 и 0.И наоборот, они выводят «низкий» (0) логический уровень, если входы имеют одинаковые логические уровни.

У логического элемента Исключающее ИЛИ (иногда называемого XOR) есть как символ, так и шаблон таблицы истинности, который является уникальным:

Эквивалентные схемы

XOR

Существуют эквивалентные схемы для логического элемента «Исключающее ИЛИ», состоящего из логических элементов «И», «ИЛИ» и «НЕ», как и для вентилей И-НЕ, ИЛИ-ИЛИ и вентилей с отрицательным входом. Довольно прямой подход к моделированию логического элемента «Исключающее ИЛИ» состоит в том, чтобы начать с обычного логического элемента ИЛИ, а затем добавить дополнительные вентили, чтобы запретить выходу «высокий» (1), когда оба входа «высокие» (1):


В этой схеме последний вентиль И действует как буфер для выхода логического элемента ИЛИ всякий раз, когда на выходе логического элемента И-НЕ высокий уровень, то есть для первых трех комбинаций состояний входа (00, 01 и 10).Однако, когда оба входа имеют «высокий» (1), логический элемент И-НЕ выводит «низкий» (0) логический уровень, который заставляет последний логический элемент И выдавать «низкий» (0) выход.

Другая эквивалентная схема для логического элемента «Исключающее ИЛИ» использует стратегию двух вентилей И с инверторами, настроенных для генерации «высоких» (1) выходов для входных условий 01 и 10. Последний вентиль ИЛИ затем разрешает любой из вентилей И. «Высокие» выходы для создания окончательного «высокого» выхода:


Шлюзы

Исключающее ИЛИ очень полезны для схем, в которых два или более двоичных числа должны сравниваться побитно, а также для обнаружения ошибок (проверка четности) и преобразования кода (двоичного в Грей и наоборот).

Ворота Exclusive-NOR

Наконец, наши последние ворота для анализа — это ворота исключающего ИЛИ, иначе известные как ворота ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ. Это эквивалентно вентилю исключающего ИЛИ с инвертированным выходом. Таблица истинности для этих ворот прямо противоположна таблице истинности для ворот Исключающее ИЛИ:


Как указано в таблице истинности, цель логического элемента «Исключающее ИЛИ-ИЛИ» состоит в том, чтобы выводить «высокий» (1) логический уровень всякий раз, когда оба входа находятся на одном и том же логическом уровне (00 или 11).

ОБЗОР:

  • Правило для логического элемента И: выход имеет высокий уровень, только если первый вход и второй вход имеют высокий уровень.
  • Правило для логического элемента ИЛИ: выход «высокий», если вход A или вход B «высокий».
  • Правило для логического элемента И-НЕ: выход , а не «высокий», если и первый вход, и второй вход «высокий».
  • Правило для логического элемента ИЛИ-ИЛИ: выход , а не «высокий», если первый или второй вход «высокий».”
  • Логический элемент «Отрицательное И» ведет себя как вентиль ИЛИ-НЕ.
  • Вентиль отрицательного ИЛИ ведет себя как вентиль И-НЕ.
  • Правило для логического элемента «Исключающее ИЛИ»: выход «высокий», если входные логические уровни различаются .
  • Правило для логического элемента «Исключающее ИЛИ-ИЛИ»: выход «высокий», если логические уровни входа совпадают с .

СВЯЗАННЫЕ РАБОЧИЕ ЛИСТЫ:

Прототипы логических схем для трехполюсных магнитных туннельных переходов с мобильными доменными стенками

Структура логического устройства доменной стенки

Прототип схематично показан на рис.1а, б. Он состоит из двух частей: ферромагнитного провода, содержащего DW и MTJ. Проволока состоит из тонких пленок, нанесенных напылением на подложку Si: SiO 2 (200 нм) / Ta (3 нм) / Co 40 Fe 40 B 20 ( t = 4 нм) / MgO (1 нм). CoFeB обладает плоской магнитной анизотропией; в то время как перпендикулярная анизотропия будет более энергоэффективной в масштабируемых устройствах 1,20 , как показано в исх. 1, для исходных прототипов логическое поведение не зависит от типа анизотропии.Стек MTJ: CoFeB (2,5 нм) / Ru (0,8 нм) / CoFeB (2,5 нм) / Ir 20 Mn 80 (10 нм) / Ta (3 нм) / Ru (7 нм). Есть три терминала: IN, CLK и OUT.

Рисунок 1: Рисунок логического устройства и SEM.

( a ), изображение логического устройства доменной стенки (DW), состоящее из магнитного провода с DW и магнитного туннельного перехода (MTJ) для считывания положения DW. Направленные вправо магнитные моменты — красные, а направленные влево — синие (серый представляет Ta, коричневый Ru и светло-зеленый IrMn).Направление намагничивания также показано белыми стрелками. Туннельный барьер MgO показан желтым цветом. Устройство имеет три терминала: IN, CLK и OUT. Когда намагниченность провода параллельна намагничиванию MTJ, ток на клемме OUT высокий, что соответствует биту 1. (b, ). Рисунок, показывающий DW, переключился на противоположную сторону устройства, представляя бит 0. (c ), СЭМ-изображение прототипа устройства DW-Logic, показывающее магнитный провод шириной w = 400 нм и MTJ под центральным электродом с площадью 1 мкм × 400 нм, также показанное на вставке.Электроды окрашены в светло-золотой цвет. Начальное положение DW показано белыми стрелками. Черные стрелки показывают ориентацию поля инициализации H I и поля смещения H B . Масштабные линейки, 2 мкм ( c ), 400 нм ( c , вставка).

На рис. 1с показано изображение, полученное с помощью сканирующего электронного микроскопа (СЭМ), изготовленного устройства. Ширина провода составляет w = 400 нм и имеет форму кривой, позволяющей инициализировать DW с использованием глобального поля H I .Микромагнитное моделирование предсказывает, что DW является поперечным, см. Дополнительный рис. 1. MTJ находится под центральным электродом. Контактные площадки IN и CLK представляют собой MTJ размером 5 мкм × 5 мкм, используемые для контакта с магнитным проводом, что намного больше, чем центральный MTJ. При таком размере контактные площадки имеют пренебрежимо малое магнитосопротивление из-за микроотверстий в слое MgO, поэтому их туннельные переходы не учитываются. Расчетное последовательное сопротивление контактных площадок составляет около 100 Ом, что мало по сравнению с сопротивлением провода.

Работа устройства включает в себя этап инициализации, этап записи и этап чтения.Сначала μ 0 H I = 200 mT применяется для инициализации DW слева, где μ 0 — проницаемость свободного пространства. Это поле достаточно велико, чтобы насытить магнитные моменты, так что, когда поле удаляется, вдоль направления поля зарождается DW. Имея изогнутый провод, мы можем установить начальное положение DW, выбрав угол поля зрения. Намагниченность параллельна по обе стороны от MTJ, и его сопротивление низкое (бит 1, рис.1а). См. Дополнительные рисунки 2 и 3 для получения характеристик полевого устройства. Для управления током импульс напряжения длительностью 1 мкс подается на клемму IN с заземленным CLK. Теоретически можно использовать трехфазные синусоидальные часы для экономии энергии 1,21 . Если входной ток, I IN , выше порогового тока DW, I T , то ток может транслировать DW мимо MTJ, используя индуцированное током движение DW 22 , переключая MTJ в высокоомное состояние (бит 0, рис.1б). Скорее всего, переключение, индуцированное током, представляет собой комбинацию крутящего момента передачи спина и теплового депиннинга 23 . I T зависит как от внутреннего, так и от внешнего пиннинга DW от таких источников, как шероховатость края линии 24 и магнитокристаллические дефекты.

Устройство затем может быть считано импульсом напряжения, приложенным к CLK, направленным на вход следующего устройства. Ток на выходе, I OUT , будет высоким или низким в зависимости от положения DW, и его можно будет подать на следующую ступень устройства.Чтобы избежать повреждения устройств при высокой плотности тока, движению DW способствует глобальное поле смещения H B , выровненное параллельно начальному положению DW. Поле смещения можно устранить, используя магнитный материал с более низким I T или масштабируя устройства до меньших размеров. Моделирование и эксперименты показывают, что плотность тока, необходимая для удаления слоя DW, уменьшается с увеличением ширины проволоки до размеров менее 50 нм 1,22 .

Поведение одного устройства в качестве инвертора и буферных вентилей

Одно устройство может использоваться в качестве логического элемента, когда ток на входной клемме I IN является суммой нескольких входных токов.На рисунке 2a показан пример устройства, действующего как инвертор, который можно использовать для выполнения операции NAND с двумя входами, с параллельным сопротивлением MTJ R P = 23,7 Ом, антипараллельным сопротивлением MTJ R AP = 25,7 Ом, сопротивление провода R w = 1,18 кОм и туннельное магнитосопротивление TMR = ( R AP R P ) / R P × 100 = 8,4% (исх. 25). Инициализация с помощью H I сначала устанавливает MTJ в параллельное состояние (бит 1), при этом DW находится слева, как на рис.1а, в. Поле смещения μ 0 H B = 3,0 мТл затем применяется параллельно DW. Мы прикладываем серию импульсов напряжения длительностью 1 мкс, В, , IN, , с шагом 0,05 В. За каждым входным импульсом следует сигнал постоянного тока 100 мВ. напряжение, приложенное к клемме CLK для измерения сопротивления через MTJ, R MTJ . Между В IN = от 3,75 В до 3,80 В, что соответствует входному току I T = 3.099 мА ± 0,041 мА (с диапазоном, определяемым шагом напряжения) и плотностью тока Дж T = 1,9 × 10 12 А м −2 , DW транслируется через MTJ, переключая выход с R P (высокий ток, бит 1) до R AP (низкий ток, бит 0).

Рисунок 2: Работа инвертора и буфера.

( a ), переходный процесс, показывающий сопротивление MTJ и импульсы приложенного напряжения между IN и CLK в зависимости от времени.При 3,80 В устройство переключается с низкого сопротивления (бит 1) на высокое сопротивление (бит 0). ( b ), передаточная характеристика I OUT через MTJ по сравнению с I IN по проводу. Изображения SEM показывают конфигурацию ниже I T , с положением DW, аппроксимированным красной точкой, и направлением потока электронов I IN , показанным желтой стрелкой, и приблизительным положением DW после I T .вставка: Простая принципиальная схема устройства, включая сопротивление провода и переменное сопротивление туннельного перехода. ( c ), Переходное поведение, показывающее буферную операцию, график R MTJ и V IN в зависимости от шага измерения, когда мы увеличиваем амплитуду импульса напряжения 1 мкс с шагом 0,01 В. Это устройство имеет аналогичный R w предыдущему устройству, но немного выше R MTJ и TMR .При 3,97 В устройство переключается с выхода с высоким сопротивлением на выход с низким сопротивлением. ( d ), Передаточная характеристика для буфера. вставка: сравнение этой передаточной характеристики (правая черная кривая) с характеристикой другого устройства (левая синяя кривая) с менее согласованными R w и R MTJ .

Ток рассчитывается с использованием схемы на рис. 2b (вставка) с сопротивлением провода, представленным как R w = R LEFT + R RIGHT и MTJ, представленное переменной резистор R MTJ .Для изолированного устройства мы определяем входной ток как

, где R S — нагрузочный резистор от источника напряжения. Если мы читаем каждое устройство, используя V OUT , то мы определяем выходной ток для изолированного устройства как

Каскады устройства импульсны последовательно, где на каждом каскаде устройство также может иметь входной резистор, настроенный на входной ток в правильном диапазоне для чтения данных из предыдущего этапа. Таким образом, если входной ток исходит от двух логических вентилей с такими выходными сопротивлениями, что входные токи суммируются в последующем вентиле, то это устройство переключается с 1 на 0 только тогда, когда входной ток превышает I T .Результирующая передаточная характеристика представлена ​​на рис. 2б. Изменение сопротивления MTJ модулирует выходной ток на Δ I OUT = 8,96 мкА, при условии, что импульс напряжения CLK равен 3,80 В и к клемме OUT не подключена внешняя нагрузка.

На рис. 2c показано устройство, которое вместо этого действует как буферный вентиль. Буфер показан для другого устройства: R P = 46,5 Ом, R AP = 52,1 Ом, R w = 1,10 кОм и TMR = 12%.Устройство инициализируется так же, как и ранее. Мы запрограммировать его, чтобы действовать в качестве буфера, а не инвертор с применением более высокой Bias полю μ 0 H B = 4,8 мТл, над переключателем полевого опорного слоя MTJ, но ниже, чем в DW, инициализирующий MTJ в антипараллельном состоянии (бит 0). DW переключает MTJ между 3,96 и 3,97 В, или I T = 3,441 мА ± 0,009 мА, J T = 2,0 × 10 12 A м −2 .Выход переключается с высокого сопротивления (низкий ток, бит 0) на низкое сопротивление (высокий ток, бит 1). На нескольких устройствах передаточная характеристика показывает очень резкое переключение между состояниями сопротивления, Δ В IN <0,01 В, предел нашего источника напряжения. Это обеспечивает стабильные выходы 0 и 1 даже при TMR = 8–20%, наблюдаемых в наших устройствах. На переключателе Δ I OUT / Δ I IN = 3,1. На рис. 2d мы построим график I OUT в сравнении с I IN для изолированного буферного устройства с V OUT = 3.97 В. Изменение тока между выходными битами 0 и 1 составляет Δ I OUT = 28,8 мкА при отсутствии выходной нагрузки.

В то время как Δ I OUT = 28,8 мкА представляет собой заметную разницу в токе для стабильных битов 0 и 1, относительное изменение выходного тока составляет Δ I / I = ( I P I AP ) / I AP = 0,3% выходного тока бита 0 I AP , OUT = 4,5 мА.В идеальном устройстве Δ I / I должно быть максимальным для лучшего запаса по шуму и потенциального разветвления. Используя уравнение 2 с фиксированным V OUT и предполагая, что затвор управляет одним последующим ферромагнитным проводом, мы находим

Если мы определяем выходное сопротивление в параллельном состоянии R OUT = R P + R RIGHT и сопротивление нагрузке R LOAD = R LEFT + R RIGHT + R S , тогда мы можем определить показатель качества

Уравнение 4 показывает, что самый высокий запас по шуму и разветвлению достигается за счет максимизации TMR и согласования параллельного сопротивления MTJ и сопротивления провода.

На рис. 2d (вставка) сравнивается I OUT и I IN исходного буферного устройства (черная кривая) с другим протестированным устройством с более высоким значением R w = 2,54 кОм, R P = 12,4 Ом и TMR = 21% (синяя кривая). Несмотря на то, что TMR выше, поскольку он также выше, мы находим более низкое Δ I / I = 0,1%. Для данного удельного сопротивления провода и произведения сопротивления MTJ на площадь мы можем уменьшить соотношение между сопротивлениями провода и MTJ, правильно выбрав размер провода и размер MTJ.Ожидается, что будущие устройства с размером, оптимизированным по сопротивлению, а не производственным ограничениям, будут демонстрировать значительно большее процентное изменение тока. Повышение качества MTJ до TMR = 100–600% (ссылка 5) и выбор подходящей геометрии провода и MTJ и R P увеличит Δ I / I до 100–600%, и реализация PMA и переключения, индуцированного вращением по Холлу, может снизить энергопотребление и J T в 100 раз (ссылка 26).

Вариативность и обратимость устройства

На рис.3a мы наносим график порогового напряжения, В T , в сравнении с H B для трех различных устройств, чтобы оценить изменчивость V T = I T ( R w ) и между устройствами. Напряжение депиннинга DW воспроизводимо в пределах ± (0,15 ± 0,1) В при каждом поле смещения. Это без штифтов, изготовленных извне, таких как выемки , 27, , которые могут обеспечить более воспроизводимое удаление за счет более высоких токов депиннинга.Внутри одного устройства наблюдается линейная тенденция, но между разными устройствами есть различия. Устройства 2 и 3 были изготовлены одновременно из одной и той же тонкопленочной пластины размером 10 мм × 10 мм, в то время как устройство 1 было изготовлено в другое время из отдельной пластины и демонстрирует более высокую вариацию от устройства к устройству в V T против H B уклон. Таким образом, мы можем сделать вывод, что различия от устройства к устройству, наблюдаемые в прототипах, возникают из-за различий в изготовлении, например, электронно-лучевого сопротивления и скорости травления, а также изменения толщины MgO в исходной тонкой пленке диаметром 3 дюйма. пластина, что вызывает изменение TMR на пластине.

Рисунок 3: Изменчивость и обратимость.

( a ) Пороговое напряжение в зависимости от поля смещения для трех разных устройств, где полосы ошибок представляют стандартное отклонение напряжения депиннинга, повторяющееся не менее 3х, с повторной инициализацией DW между каждым из них. Серый = устройство 1, красный = устройство 2 и синий = устройство 3. Линии расположены линейно. Устройства 2 и 3 были изготовлены вместе, а устройство 1 было изготовлено позже на другой пластине. ( b ) SEM-изображения, показывающие настройку обратимости, когда DW перемещается вперед и назад мимо MTJ, как показано красными точками.( c ) R MTJ в сравнении с импульсным V , показывающий обратимость состояния устройства 1. В положительном направлении μ 0 H B = 3,3 мТл; в отрицательном направлении μ 0 H B = −6,2 мТл. Красная точка на изображениях SEM — это приблизительное положение DW при высоком и низком R MTJ соответственно.

Мы можем оценить плотность тока в нулевом поле по линейным трендам: устройство 1 V T ( H B = 0) = 6.27 В. Преобразуя в I с R w = 4,4 кОм, находим I T ( H B = 0) = 1,4 мА и J T ( H B = 0) = 8,75 × 10 11 А м −2 . Это согласуется с плотностью тока, необходимой для преобразования DW в проводники с магнитной анизотропией в плоскости 20 .

На рисунке 3b показано поведение обратимости устройства 1. После инициализации в конфигурации буфера на +2.9 В R MTJ переключатели низкого уровня; перевернув, мы видим, что R MTJ снова переключает высокий уровень при -4,8 В. H B выше на отрицательной стороне контура, поскольку направление поля менее параллельно DW.

Поведение конкатенации нескольких устройств в схемах

На фиг. 4a показано SEM-изображение, показывающее три устройства, соединенных вместе, причем выход устройства 1 подает вход устройства 2 и устройства 3. Пунктирными прямоугольниками обозначены устройства, показанные на фиг.1c. Начальное состояние концептуально представлено на рис. 4а (вставка). После инициализации и μ 0 H B = 2,0 мТл, устройства 1 и 2 находятся в конфигурации инвертора, а устройство 3 является буфером. Затем мы прикладываем импульсы напряжения длительностью 1 мкс к клемме CLK 1 , при этом клеммы CLK 2 / CLK 3 остаются на земле, а все остальные клеммы — в свободном состоянии. На рисунке 4b показан R MTJ после каждого импульса. Выходной ток устройства 1 переключает как устройство 2, так и устройство 3 на 4.5 В ± 0,3 В и 4,7 В ± 0,2 В соответственно (диапазон от трех повторов эксперимента). Сопротивление устройства 1 остается неизменным, потому что его DW инициализируется на левой стороне его провода, и, таким образом, мы можем считывать устройство 1, не нарушая его логического состояния. Это демонстрирует, что один вентиль может управлять двумя вентилями, и что мы можем считывать состояние устройства 1, а затем использовать этот выходной ток в качестве входа для записи устройств 2 и 3. Мы можем запитать более двух вентилей, дополнительно увеличивая амплитуду импульса напряжения. или настройку произведения сопротивления MTJ для вывода более высокого тока.

Рисунок 4: Конкатенация.

( a ) SEM-изображение выхода одного устройства, подключенного к входам двух устройств. Импульсы напряжения подаются на CLK 1 с заземленными CLK 2 и CLK 3 . Шкала 100 мкм. (вставка) Рисунок начальных конфигураций трех устройств с инициализированными DW слева. Красный означает намагниченное право, а серый — намагниченное левое. ( b ), График сопротивления MTJ в зависимости от импульсного напряжения, приложенного к CLK 1 , показывающий, что одно устройство может питать коммутатор в двух последующих устройствах.Здесь полосы ошибок представляют собой среднее колебание шума в R , отслеживаемое для каждого устройства на каждом шаге напряжения.

На рисунке 5 показана схема из трех инверторов, которая соединяет три устройства последовательно. Выход устройства 3 возвращается на вход устройства 1. Инициализируем все устройства в конфигурации инвертора, изображенной на рис. 5а. Чтобы управлять логическим потоком, мы подаем последовательные импульсы напряжения на CLK 1 , CLK 2 , а затем на CLK 3 . Например, на этапе 1 импульс напряжения, приложенный к CLK 1 с заземленным CLK 2 , позволяет нам читать устройство 1 во время записи устройства 2.Поскольку на выходе устройства 1 высокий уровень (бит 1), ток достаточно высок, чтобы переключить DW в устройстве 2, изменив его с 1 бита на 0 бит. На шаге 2, рис. 5b, мы прикладываем импульс напряжения к CLK 2 с заземленным CLK 3 для чтения устройства 2 во время записи устройства 3. Поскольку выходной ток устройства 2 теперь низкий (бит 0), DW в устройстве 3 не переключается и остается битом 1.

Рисунок 5: Схема с тремя инверторами.

( a ) Рисунок, показывающий три устройства, подключенных последовательно, при этом выход устройства 3 возвращается на вход устройства 1.Устройства инициализируются с их доменными стенками (ДГ) слева и параллельными туннельными переходами. В эксперименте на этапе 1 мы прикладываем импульс напряжения на CLK 1 для считывания состояния устройства 1 при записи состояния устройства 2. Импульс напряжения подается между CLK n и CLK n + 1 . Желтые стрелки показывают направление электронного потока. В этом случае DW в устройстве 2 переключается. ( b ) Рисунок из шага 2, где теперь мы применяем импульс напряжения на CLK 2 для считывания состояния устройства 2 при записи состояния устройства 3.В этом случае DW в устройстве 3 не переключается. На шагах 3 и 4 это повторяется на CLK 3 и CLK 1 соответственно. ( c ) SEM из трех последовательно соединенных устройств. R P1 = 23,8 Ом, R P2 = 19,0 Ом и R P3 = 18,4 Ом. Масштабная линейка, 50 мкм. ( d ) График сопротивления MTJ на каждом шаге в схеме трех инверторов, показывающий колебания положения DW на каждом шаге между параллельным (низкое сопротивление MTJ, бит 1) и антипараллельным (высокое сопротивление MTJ, бит 0) состояния устройства.

На рисунке 5c показано изображение с помощью сканирующего электронного микроскопа изготовленной схемы из трех инверторов, инициализированной в конфигурации инвертора с μ 0 H B = 3,0 мТл. На рис. 5d мы измеряем R MTJ по мере распространения информации по цепи. Устройства синхронизируются последовательно импульсами 4,5 В, так что на каждом этапе токен данных инвертируется. Амплитуда напряжения 4,5 В оптимизирована для устройства 3, так что, когда устройство 2 находится в антипараллельном состоянии, DW устройства 3 не переключается.Чтобы увидеть операцию инвертирования, каждое сопротивление нормируется на свое собственное R P . Выходное сопротивление на каждом шаге импульса колеблется между R P и R AP , когда мы перемещаемся по цепи, показывая колебания между 1 и 0 битами. Операция останавливается после четырех шагов, потому что дополнительное распространение требует шага сброса, чтобы вернуть все DW в левую сторону. Мы ожидаем, что уменьшенные устройства или материалы с более низкими пороговыми токами должны работать без необходимости в поле смещения, позволяя выполнить сброс во время считывания.

На рис. 6 мы моделируем поведение масштабированной схемы с тремя инверторами, используя переходное микромагнитное моделирование / имитацию схемы 1 для прогнозирования масштабирования, энергии переключения и задержки переключения. Для микромагнитного моделирования мы используем объектно-ориентированную модель микромагнитного каркаса 28 с расширением движения DW 29 , вызванного током. Мы принимаем t = 2,5 нм, w = 15 нм, длину проволоки 200 нм, TMR = 100% и свойства материала для плоской анизотропии CoFeB (обменная энергия 13 × 10 −12 Дж · м −1 , параметр демпфирования α = 0.01, неадиабатический параметр β = 0,05, намагниченность насыщения M S = 8 × 10 5 A m −1 , и коэффициент спиновой поляризации P = 0,4 (ссылка 18)). Моделирование вводит ток и выводит новое положение DW в проводе. Затем мы преобразуем положение DW в новое значение R MTJ , которое мы вводим в трехконтактную схему SPICE модели 30 , показанную на рис. 2b. Модель схемы вычисляет I и V в каждом узле схемы, которые мы вводим обратно в микромагнитную модель.Мы повторяем этот итерационный процесс каждые 0,05 нс в интересующем временном масштабе.

Рисунок 6: Моделирование схемы масштабированных трех инверторов.

Микромагнитное / схемное моделирование переходного режима, предсказанное в уменьшенной схеме устройства с w = 15 нм и TMR = 100%. ( a ) Тактовые напряжения 0,7 В, 2 нс для каждого устройства, приложенные последовательно во времени. ( b ) Моделирование поведения доменной стенки (DW) каждого устройства, где мы можем видеть, что DW переключается между левой стороной устройства (∼50 нм) и правой (∼150 нм).Как только DW переключается, он колеблется относительно своего положения. ( c ), Ток в узле I OUT3 из рис. 5a в зависимости от времени. Положительный ток колеблется между битом 1 (32 мкА) и битом 0 (19 мкА). Отрицательный ток возникает из-за тока, протекающего обратно от последующих тактовых импульсов, но он не нарушает положение DW в устройстве 3.

На рисунке 6 показано смоделированное поведение переходной схемы. Информация передается последовательно под действием тактовых импульсов 0,7 В длительностью 2 нс.На Шаге 1 (эквивалентном Рис. 5a) мы прикладываем В CLK1 , показанное синим импульсом напряжения. График зависимости положения DW от времени показывает, что DW устройства 2 переключается через устройство (зеленая кривая). На Шаге 2 (эквивалентном Рис. 5b) мы прикладываем В CLK2 , показанное зеленым импульсом напряжения. На графике зависимости положения DW от времени красная кривая представляет положение DW в устройстве 3, и мы видим, что его DW не переключается на шаге 2. Это колебательное поведение повторяется на шаге 3, шаге 4 и так далее.Маркер данных инвертируется на каждом этапе, что означает, что DW перемещается в любое другое устройство, например, устройство 2 (зеленый), устройство 1 (синий) и устройство 3 (красный). Однако смоделированная схема отличается от реализации, поскольку в реализации используется поле смещения. В отсутствие поля смещения в масштабированной симуляции логика сбрасывается во время операции чтения. Наблюдая за узлом I OUT в моделировании, мы видим, что он колеблется между высоким током (бит 1, 32 мкА) и низким током (бит 0, 19 мкА) в зависимости от положения DW устройства 3.Отрицательные импульсы в переходном процессе тока возникают, когда ток течет в обратном направлении от следующего затвора.

Полевой транзистор с JFET-переходом, конструкция, символ, работа

Как уже упоминалось в Полевые транзисторы (FET) , JFET бывают двух типов, а именно N-канальные JFET и P-канальные JFET. Обычно N-канальные полевые транзисторы более предпочтительны, чем P-каналы. N-канальные и P-канальные полевые транзисторы JFET показаны на рисунках ниже.

JFET — переходные полевые транзисторы

Базовая конструкция.

Конструкция довольно простая. В N-канальном JFET кремниевый стержень N-типа, называемый каналом, имеет два меньших куска кремниевого материала P-типа, рассеянных на противоположных сторонах его средней части, образуя P-N-переходы, как показано на рисунке. Два P-N перехода, образующие диоды или затворы, соединены внутри, и общий вывод, называемый выводом затвора, выведен наружу. Омические контакты (прямые электрические соединения) выполняются на двух концах канала — один вывод называется клеммой источника S, а другой — клеммой стока D.

Силиконовая полоска ведет себя как резистор между двумя своими выводами D и S. Вывод затвора аналогичен базе обычного транзистора (BJT). Он используется для управления потоком тока от истока к стоку. Таким образом, выводы истока и стока аналогичны выводам эмиттера и коллектора, соответственно, BJT.

На рисунке выше затвор является P-областью, а исток и сток — N-областями. Из-за этого JFET похож на два диода. Затвор и исток образуют один из диодов, а сток — другой диод.Эти два диода обычно называют диодом затвор-исток и диодом затвор-сток. Поскольку JFET представляет собой кремниевое устройство, требуется всего 0,7 В для прямого смещения, чтобы получить значительный ток в любом из диодов.

Когда клемма затвора не подключена, и приложен потенциал (+ ve на стоке и — ve на истоке), ток, называемый током стока, ID протекает через канал, расположенный между двумя P-областями. Этот ток в данном случае состоит только из основных носителей — электронов. P-канальный JFET аналогичен по конструкции N-канальному JFET, за исключением того, что полупроводниковый материал P-типа зажат между двумя переходами N-типа, как показано на рисунке.В этом случае основными носителями являются дыры.

Стандартные обозначения в FET:

Источник — Терминал, через который большинство несущих входят в канал, называется терминалом S источника , , а обычный ток, входящий в канал в точке S, обозначается как I g .

Сток — Вывод, через который большинство несущих покидает канал, называется стоком , выводом D , а обычный ток, покидающий канал в точке D, обозначается как I D .

Напряжение сток-исток называется V DS и положительно, если D более положительно, чем исток S

.

Затвор — Имеются две соединенные внутри сильно легированные примесные области, образованные легированием, диффузией или любым другим доступным методом для создания двух P-N-переходов. Эти примесные области называются затвором G. Между затвором и истоком прикладывается напряжение V GS в направлении обратного смещения P-N перехода. Обычный ток, поступающий в канал в точке G, обозначается как I G .

Канал — Область между истоком и стоком, зажатая между двумя затворами, называется каналом , и большинство несущих перемещаются от истока к стоку через этот канал.

Условные обозначения JFET

Условные обозначения для полевых транзисторов N-типа и P-типа показаны на рисунке ниже. Вертикальную линию в символе можно представить как канал, исток S и сток D, подключенные к линии.

Обратите внимание, что направление стрелки на затворе указывает направление, в котором течет ток затвора, когда переход затвора смещен в прямом направлении. Таким образом, для N-канального JFET стрелка на стыке затвора указывает на устройство, а в P-канальном JFET — от устройства.

Соглашения о полярности JFET

Соглашения о полярности-JFET

Полярность для N-канального и P-канального JFET показана на рисунках. В обоих случаях напряжение между затвором и истоком таково, что затвор имеет обратное смещение.Это обычный метод подключения JFET. Клеммы стока и истока взаимозаменяемы, то есть любой конец может использоваться как исток, а другой конец — как сток. Вывод истока всегда подключается к тому концу источника напряжения стока, который обеспечивает необходимые носители заряда, то есть в N-канальном выводе истока JFET S подключается к отрицательному концу источника напряжения стока для получения.

Схема смещения для JFET

Работа JFET

Давайте рассмотрим N-канальный JFET для обсуждения его работы.

1. Когда к затвору не приложено никакого смещения (т.е. когда V GS = 0), ни какое-либо напряжение на стоке относительно. Источник (т.е. , когда V DS = 0), обедненные области вокруг P-N переходов имеют одинаковую толщину и симметричны.

2. Когда на клемму стока D w.r.t. подается положительное напряжение. клемма источника S без подключения клеммы G затвора к источнику питания, как показано на рис. 9.4, электроны (которые являются основными носителями) текут от вывода S к выводу D, тогда как обычный ток стока I D протекает через канал от D к S.Из-за протекания этого тока на сопротивлении канала возникает равномерное падение напряжения при переходе от клеммы D к клемме S. Это падение напряжения смещает диод в обратном направлении. Затвор является более «отрицательным» по отношению к тем точкам в канале, которые ближе к D, чем к S. Следовательно, слои истощения проникают более глубоко в канал в точках, лежащих ближе к D, чем к S. Таким образом, клиновидные области истощения формируются, как показано на рисунке. когда применяется Vd s . Размер сформированного обедненного слоя определяет ширину канала и, следовательно, величину тока I D , протекающего через канал.

Чтобы увидеть, как ширина канала изменяется с изменением напряжения затвора, предположим, что затвор имеет отрицательное смещение относительно истока, в то время как сток прикладывается с положительным смещением относительно истока.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

2019 © Все права защищены. Карта сайта